金属和半导体接触资料.pptVIP

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2020-07-10 发布于福建
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金属和半导体接触资料.ppt

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第八章金属和半导体的接触 §8.1金属半导体接触及能级图 1.金属和半导体的功金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。金属功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与金属的E能量之差,即 Wn=Eo-(er) 上式表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的最小值 E 金属中的电子势阱 Wn越大,金属对电子的束缚越强在半导体中,导带底EC和价带顶E 般都比Eo低几个电子伏特。半导体功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与半导体的E能量之差,即 Eo-(EF Ec W与杂质浓度有关电子的亲合能 X=Eo-Ec 半导体的功函数又写为 W=x+EC-(ER=x+E 2接触电势差 W、W (EF) (a)接触前 Ev -Vn)、金属表面负电半导体表面正电 E E E 金属的电势 v:半导体的电势 (b)间隙很大(D原子间距)