芯片功耗摩尔定律终结.ppt

3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 1 芯片功耗与摩尔定律的终结 清华大学计算机系 EDA 实验室 骆祖莹 luozy@mail.tsinghua.edu.cn 博士后合作导师 : 洪先龙教授 IEEE FELLOW 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 2 报告内容 ? 计算机科学发展与摩尔定律 ? 集成电路功耗的组成与提高趋势 ? 高功耗对集成电路性能与可靠性的影响 ? 供电系统（ P/G ） ? 封装与散热装置 ? 可靠性 ? 芯片功耗与摩尔定律的终结 ? 与芯片功耗相关的研究热点 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 3 计算机科学发展与摩尔定律 ? 目前计算机科学发展的动力，一部分来自计算机理论 的发展，但主要来自集成电路芯片性能的大幅提高。 ? 集成电路芯片性能提高大致符合摩尔定律，即处理器 (CPU) 的功能和复杂性每年 ( 其后期减慢为 18 个月 ) 会增 加一倍，而成本却成比例地递减。 ? 集成电路生产工艺的提高 (0.25/0.18/0.13/0.09um) ， 缩小了单管的尺寸，提高了芯片的集成度与工作频率， 降低了工作电压。 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 4 Goal for Intel: 1TIPS by 2010 Shekhar Borkar, Circuit Research, Intel Labs 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 1970 1980 1990 2000 2010 M I P S Pentium? Pro Architecture Pentium? 4 Architecture Pentium? Architecture 486 386 286 8086 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 5 Transistor Integration Capacity Shekhar Borkar, Circuit Research, Intel Labs 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 6 报告内容 ? 计算机科学发展与摩尔定律 ? 集成电路功耗的组成与提高趋势 ? 高功耗对集成电路性能与可靠性的影响 ? 供电系统（ P/G ） ? 封装与散热装置 ? 可靠性 ? 芯片功耗与摩尔定律的终结 ? 与芯片功耗相关的研究热点 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 7 CMOS 集成电路功耗的组成 ? 与其它工艺比较， CMOS 电路以其低功耗，易于集成 的优点，在目前硅材料时代得到了最广泛的应用。 ? 芯片功耗包括由 CMOS 管状态改变所产生的动态功耗 与由漏电流引起的静态功耗两部分。 ? 动态功耗由三部分组成： A 、电路逻辑操作所引起的 状态改变所需功耗； B 、 P 管与 N 管阈值电压重叠所产 生的导通电流所需功耗； C 、不同路径的时间延迟不 同所产生的竞争冒险所需功耗。 ? 静态功耗也由三部分组成： A 、 CMOS 管亚阈值电压漏 电流所需功耗； B 、 CMOS 管栅级漏电流所需功耗； C 、 CMOS 管衬底漏电流（ BTBT ）所需功耗。 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 8 静态功耗的三种成因 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 9 The Power Crisis from Intel Shekhar Borkar, Circuit Research, Intel Labs 0 200 400 600 800 1000 1200 0.25u 0.18u 0.13u 90nm 65nm 45nm P o w e r ( W ) Leakage Active 15 mm Die Leakage Power is catching up with the active power in nano-scaled CMOS circuits. 3/28/2019 EDA Lab., Tsinghua University 10 The Power Crisis from IBM