刻蚀PECVD车间工艺.pptVIP

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2020-07-12 发布于福建
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刻蚀PECVD车间工艺.ppt

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刻蚀+ PECVD工艺报告北京中联科伟达技术股份有限公司工艺研发部概述口等离子刻蚀日等离子刻蚀原理凵等离子体刻蚀机组成口等离子体刻蚀质量控制及检测拟解决的问题口 PECVD镀 SiNx:H薄膜 PECVD镀膜技术 PECVD工作流程口SiN簿膜质量异常口拟解决的问题等离子刻蚀的基本原理等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。(这是各向同性反应) 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀等离子刻蚀的基本原理 ① 氟化合物等离子体 CFx离子 sI,(C离子基团表面移动siSi2 SiF3 O 反应层等离子刻蚀的基本原理 ≯母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子 CE CF,CF,CF,F,C以及它们的离子这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达Si02表面,并在表面上发生化学反应生产过程中,CF4中掺入02,这样有利于提高Si和Si02的刻蚀速率