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使用高级SP产品来提高快速充电、 Type C和NFC解决方案的效率 FTF-MHW-N2141 JOE ZHAO 高级区域营销经理 2016年9月29日 公开使用 议程 SP产品概述 通过ESD保护提高移动产品的可靠性 通过MOSFET和二极管提高效率 通过分立式器件优化Type C USB3设计 通过高效率分立式器件实现快速充电设计 通过NFC保护实现顺畅通信，打造上乘用户体验 总结 1 公开使用1 公开使用 1 公开使用 2公开使用 2 公开使用 您的第一选择 – 二极管、晶体管、ESD & EMI滤波、 SSMOS、功率MOS和逻辑产品 细分市场 反映在10,000多种产品中 实现途径 结果 汽车 便携式设备工业 小信号二极管和晶体管 中等功率二极管和晶体管 ESD保护和EMI滤波产品 小信号MOSFET 功率MOSFET 逻辑器件 高性价比供应链 高质量水平，故障率小于0.1PPM 扩展的AECQ-100/101产品组合 同类最佳的封装 #1 GA分立器件 #2 PowerMOS汽车 #3 Logic逻辑产品 通信 消费电子 计算领域  …每年出货量超过700亿片！ PAGE 3公开使用 PAGE 3 公开使用 手持设备中的分立器件产品 天线保护 NFC 麦克风/扬声器  通用ESD保护 MIPI- 显示器、相机 存储卡 键盘 HDMI DisplayPort  充电器/电池保护  针对客户的特定产品  SIM卡  Typc C USB2.0 USB3.0 USB3.1 面向标准功能和尖端应用的广泛产品组合 静电保护和滤波 产品组合标准及低电容型ESD 保护器件 产品组合 浪涌保护（TVS）器件 共模和EMI滤波器 MOSFET PowerMOS 中等功率二极管和晶体管 中高功率双极性晶体管/低VCEsat 晶体管 高压双极性晶体管 低VF肖特基和PN整流器 小信号二极管和晶体管 通用二极管和晶体管  路线图规划 扩大中等功率二极管和晶体管产品组合 扩大MOSFET产品组合 低R ?  DSon 沟道MOSFET 齐纳、肖特基和开关二极管 面向最新移动和高速应用 的ESD保护/TVS器件 ESD保护型 N/P沟道MOSFET 配电阻晶体管（RET） 分立式器件的一站式购物选择 封装选项和寿命周期 持续改进工艺技术  常规功率封装 SMA（B/C）、DPAK、D2PAK （无GA产品组合） 量产无引脚封装 量产 最小0.4 x 0.2 mm 高功率应用散热器 AOI适用（可焊侧盘）  DFN1006 (-2/-3) DSN1006/0603 有引脚SMD封装  玻璃和通孔封装 专业DFN2020/1010 DFN/DSN1608 WLCSP 专业  LFPAK CFP 3/5/15 夹片式封装 优异的电热性能 高温应用（175 oC） “无线”，高度可靠 高度仅1 mm 增长 稳定 衰落 持续投资新技术研发 6 公开使用 6 公开使用 Type C中使用的标准产品 PAGE 10公开使用 PAGE 10 公开使用 新型Type-C连接器 对最终客户的好处： 可双向连接 支持更高充电电流/电压，可提高充电速度 支持通过Type-C硬件发送HDMI、DisplayPort 等其他标准的数据 尺寸小，支持小型和超薄型应用 SuperSpeedHighSpeed 2 SuperSpeed HighSpeed 2 x SuperSpeed Differential Tx pair Differential pairs Differential Rx pair Side-Band Usage (SBU) Communication Channel (CC 尤其是移动设备 GND TX1+ TX1- VBUS CC1 D+ D- SBU1 VBUS RX2- RX2+ GND GND RX1+ RX1- VBUS SBU2 D- D+ CC2 VBUS TX2- TX2+ GND 插座前部视图 Type-C连接器布局 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12插头 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 插头 GND TX1+ TX1- VBUS CC1 D+ D- SBU1 VBUS RX2- RX2+ GND GND RX1+ RX1- VBUS SBU2 D- D+ CC2 VBUS TX2- TX2+ GND B12 B11 B10 B9 B8 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B12 B11 B10 B9 B8 B