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半导体材料与工艺
0.1序
以集成电路(C)技术(微电子技术)为
代表的半导体技术是近50多年来发展最迅
速的技术
半导体技术→生产生活、国防科技
(Si、Ge、GaAs、lnP、 HgcdTe、
GaN、SiC....)
半导体技术是衡量一个国家科学技术发展
水平的一项重要标志。
表1-1硅储的主要物理性质
原子序数
原子量
28.08
个/m3
品体结构
金刚石型
金刚石型
格常数
热导率
Jg℃
线热胀系数
2.33×106
5.75×10-5
熔化潜热
+5.5
介电常数
禁带宽度(OK)
电子迁移率
cm2/V
空穴迁移率
cm2/s
电子扩散系数
空穴扩散系数
D
本征电阻率
105
本征戟流子密度
1.5×100
2.4X101
杨氏模量
附录半导体材料及其应用大事年表(1782~2002年)
文献
1782年前
静电计通过不同材料接地放沃尔特( Volta A
电,区分了金属、绝缘体及导电
性能介于它们之间的“半导体”
在给伦桌家学会的一箭论|沃尔特( volt a)
文中,首先使用“半导体”一词
1s3年A在加热时,电导率上
法拉第( Faraday M
升,呈现负的电阻温度系数
1873年
晒的光电导现象
史密斯( Snith W R)
[31
874年
PbS与FeSn与金属探针相接
布劳恩( Braun h
[3],[4
势垒层型Se光电池
亚当斯( Adams W G
L879年
霍尔效应
霍尔( Hall H
[4],[6
t883年
Se整流器
福里茨( FritscH
S,PbS)点接触整流器用于鲍所(Be1C)
[4],[5]
无线电探测(美国专利755840
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