半导体激光器资料.ppt

4. 半导体激光器基本结构 这种结构由 三层 不同类型半导体材料构成，不同材料发射不 同的光波长。 结构 中间 有一层厚 0.1-0.3 μ m 的窄带隙 P 型半导体，称为 有 源层 ； 两侧 分别为宽带隙的 P 型和 N 型半导体，称为 限制层 。三 层半导体置于 基片 ( 衬底 ) 上，前后两个晶体解理面作为反射镜构 成法布里 - 珀罗 (FP) 谐振腔。 图 3.5 是 双异质结 (DH) 平面条形结构。 3 ）、双异质结（ DH ）半导体激光器 DH 激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加 正向偏压 后， P 层的空 穴和 N 层的 电子 注入 有源层 。 P 层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入 电子 形成了势垒， 注入到有源层的电子不可能扩散到 P 层。 同理， 注入到有源层的 空穴 也不可能扩散到 N 层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚 0.1-0.3 μ m 的 有源层内形成 粒子数反转分布 ，这时只要很小的外加电流，就 可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制 在 有源区 内，因而电 / 光转换效率很高，输出激光的 阈值电流 很 低，很小的散热体就可以在室温连续工作。 图 3.6 DH (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布 P G a 1 － x Al x As P G aAs N Ga 1 － y Al y As 复 合 空 穴 异 质 势垒 E 能 量 (a) (b) (c) n 折 射 率 ～ 5 % (d) P 光 ＋ － 电 子 3.1.2 半导体激光器的主要特性 1. 发射波长和光谱特性 半导体激光器的 发射波长 等于 禁带宽度 E g (eV) h f = E g g g E E hc 24 . 1 ? ? ? (3.6) 不同半导体材料有不同的 禁带宽度 E g ，因而有不同的 发射波长 λ 。 镓铝砷 - 镓砷 (GaAlAs-GaAs) 材料适用于 0.85 μ m 波段 铟镓砷磷 - 铟磷 (InGaAsP-InP) 材料适用于 1.3-1.55 μ m 波段 式中， f =c/ λ ， f (Hz) 和 λ ( μ m) 分别为发射光的频率和波长， c=3 × 10 8 m/s 为光速， h=6.628 × 10 -34 J · S 为普朗克常数， 1eV=1.6 × 10 -19 J ，代入上式得到 6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理 受激辐射和粒子数反转分布 PN 结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2 半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 温度特性 半导体激光器（ Laser Diode 即 LD ） 6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器 是向半导体 PN 结注入电流 ， 实现 粒子 数反转分布 ，产生 受激辐射 ，再利用谐振腔的 正反馈 ， 实现 光放大 而产生 激光振荡 的。 光受激辐射、发出激光必须具备三个 要素 ： 1 、 激活介质 经受激后能实现能级之间的跃迁； 2 、能使激活介质产生 粒子数反转 的泵浦装置； 3 、放置激活介质的 谐振腔 ，提供光反馈并进行放大， 发出激光。 1. 受激辐射和粒子数反转分布 有源器件 的物理基础是 光和物质相互作用的效 应 。 在物质的原子中，存在许多能级，最低能级 E 1 称为基态，能量比基态大的能级