半导体器件物理 MOSFET.pptVIP

西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 第四章 MOS 场效应晶体管 MOSFET 的预备知识 2018/9/13 1 场效应器件物理 2018/9/13 XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOSFET 的预备知识 MOS 电容 氧化层厚度 氧化层介电常数 Al 或高掺杂的 多晶 Si n 型 Si 或 p 型 Si SiO 2 MOS 结构具有 Q 随 V 变化的电容效应，形成 MOS 电容 2018/9/13 XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOSFET 的预备知识 平行板电容 ? 平行板电容： ? 上下金属极板，中间为绝缘材料 ? 单位面积电容： ? 外加电压 V ，电容器存储的电荷： Q=CV ，氧化层两侧电场 E=V/d ? MOS 结构：具有 Q 随 V 变化的电容效应， 形成 MOS 电容 d / ` ox C ? ? 2018/9/13 XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOSFET 的预备知识 能带图 ? 能带结图： ? 描述静电偏置下 MOS 结构的内部状态，分价带、导带、禁带 ? 晶体不同，能带结构不同，能带宽窄，禁带宽度大小不同 ? 金属（价带、导带交叠： EF ）、氧化物（ Eg 大）、半导体（ Eg 小） ? 半导体掺杂类型不同、浓度不同， E F 的相对位置不同 导带底能级 禁带中心能级 费米能级