可关断晶闸管GTO14 电力晶体管.pptVIP

t d 存在原因 ? 基极驱动信号到来之前，发射结和集电结都处于反偏状 态，它们的空间电荷区较宽。 ? 当 U i 到来时，虽然基极电流立即上升到 I B1 ，但发射结仍 然处于反偏状态。 I B1 提供空穴，填充发射结空间电荷区， 抵消部分静电荷，使空间电荷区变窄，发射结反偏变小。 只有发射结接近正向偏置时， i C 才开始上升，在这段时 间内有 I B1 而几乎无 i C ，由于发射结和集电结势垒电容效 应，只有势垒电容充电到一定程度， GTR 才开始导通， 所以存在延迟时间 t d 。 t r 存在原因 ? 发射结进入正偏，此后，正偏不断增大， i C 不断上升， BJT 接近或进入饱和区。 I B1 一方面继续给发射结和集电结势垒电容充 电，另一方面使基区的电荷积累增加，并 且还补充基区复合所消耗的载流子，这就 存在着上升时间 t r 。 t f 存在原因 ? 当 U i 变为负值，基极电流变为 I B2 ，但 i C 不 立即变小，而是当基区的电荷减少一定程 度， I C 才开始下降，所以存在存储时间 t s 。 当发射结由正偏变为反偏，集电结和发射 结电荷区变宽， i C 下降较快，这就有下降 时间 t f 。 典型全控型器件 1.3 门极可关断晶闸管 1.4 电力晶体管 1.5 电力场效应晶体管 1.6 绝缘栅双极晶体管 典型全控型器件 门极可关断晶闸管 —— 在晶闸