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第三章 电子和空穴的平衡统计分布
（1）画出20K、200K费米分布曲线；和间的能量差，并与相应的值进行比较。
（2）设分别为、4、7，用费米分布和玻尔兹曼分布分别计算分布几率，并对结果进行讨论。
（3）设导带关系为。求出单位晶体体积态密度。
（4）设二维能带具有以下关系， 。求单位面积的态密度。
（5） 晶态Si和GaAs的为：,；,；分别为1.11eV和1.42eV。求两者在300K下的和和本征载流子浓度。
（6）利用上面的数据计算室温下本征费米能级相对禁带中央的偏离。
（7）已知Si中只含有一种施主杂质，浓度为/cm，现在40K测得电子浓度为10/cm，试估算该施主杂质的电离能（设已知导带态密度有效质量为, gD=2）。
（8）设n型Ge中/cm，其电离能为0.01eV，求300K和500K下的电子浓度和空穴浓度。若其中含有/cm的受主，和会受到什么影响？为甚么？
（9）Si中施主含量为/cm，电离能为eV，试估算发生强电离的温度（这里把强电离规定为电离度大于90%。 设 gD=2）。向本征情形过渡的温度又如何？
（10）推导公式 。
（11）Si中含有施主/cm，eV；和受主/cm。说明能否用式（3-4-31）及（3-4-32）计算室温电子浓度和费米能级？有什么其它计算方法？
（12）在掺有二重施主能级的半导体中，第一重能级在禁带上半部，若第二重施主能级在禁带下半部，且有 ，试导出低温下空穴浓度和温度关系的表示式： ，说明式中等于多少？
（13）试由Si中金的有关数据，说明并计算掺有/cm浅施主和/cm金的Si的导电类型和和室温载流子浓度（设）。
（14）说明电子浓度为/cm的GaAs、Si和InSb在室温下分别属于哪种统计：非简并，弱简并，强简并？从中可以总结出什么规律？在InSb中费米能级的位置如何？
（15）设和分别为金的受主能级和施主能级的位置，
室温下，当分别在以上、和之间及在以下时，金的带电状态各如何？
室温下，当在以上时，硅中是否掺有其它杂质？若有，是甚么类型的杂质？
接上问，若在附近，情况如何？位于以下时，情况又如何？
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