半导体物理学第六章（4）.pdf

10. 4 半导体的光生伏特效应 1 2 若以I表示通过pn 结 的总正向电流，则： qV I I −I I [exp( ) −1] −I F L s L kT 3 4 kT I V ln( L +1 oc ) q I s V 随光照强度成 oc 对数式增大，而 Isc则线性地上升。 5 短路电流 短路电流问题就是光照条件下界面两侧的过剩少子分 布问题。 设结离开表面的距离，即结深为d 。为简单计，略 去空间电荷区宽度。为方便起见,把结的位置设为 x=0 。于是，两侧关于少子的方程为: 2 G x +D d ∆n −∆n x (6-7-3) ( ) n 2 0, 0 dx τ 2 d ∆p ∆p G x +D − x ( ) p 2 0, 0 (6-7-4) dx τ G(x)为单位体积光产生率。 我们将只在x0 的范围内(设为p 区)对∆n求解方程。 在光的透入深度λ显著大于结深d, 并且结深dLn 时, 能形成短路电流的光生载流子主要在x 0的范 围内，所得结果应能反映实际短路电流的大小。 Si 作为间接禁带半导体, 吸收较弱。对于光子能量 不很高的光，透入深度可达10~100 µm量级；只要 结深约为µm左右, 应大体符合上述情形。 下面在考察光的衰变规律的基础上写出G(x) 。 设光垂直入射到表面。在x=0，即结的界面处, 光强 (单位时间通过单位截面积的光子数)为Jd 。设x 处的 光强为J(x) 。经过dx距离，光强的改变量为dJ= −αJdx ，α称为吸收系数。由上式容易解出 x − −αx λ J (x) J d e J d e 式中λ=1/α为光的衰减长度，即透入深度。 在一个光子产生一对电子空穴的情形下，−dJ/dx=αJ 即为产生速率G 。由上式，G(x)可写作 x x − − λ λ G x αJ e G