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- 2020-07-19 发布于湖北
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水平结晶法(HDC) ? 其生长原理如上图所示,将原料放入船形坩埚之中,船形坩埚之 船头部位主要是放置晶种,接着使坩埚经过一加热器,邻近加热 器之部份原料最先熔化形成熔汤,形成熔汤之原料便与船头之晶 种接触,即开始生长晶体,当坩埚完全经过加热器后,便可得一 单晶体。为了晶体品质及晶体生张结束后,方便取出晶体,坩埚 应采用不沾其熔汤之材料所製,如石英、氧化镁、氧化铝、氧化 铍以及石墨等。加热器可以使用电阻炉,也可使用高频炉。用此 方法生长单晶,设备简单,又可得到纯度很高和杂质分布十分均 匀的晶体。但此方法所生长的晶体与坩埚接触,难免有坩埚成分 之元素析出到晶体,且不易制得完整性高的大直径单晶
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