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具有高噪声抗扰性能的高边驱动IC Jong-Tae Hwang 飞兆半导体公司高级工程经理 单块高边驱动器集成电路为系统设计人员带来了极大的挑战。设计人员的目标是找出最简单的方法来驱动开关器件，确保开关器件的速度，不占用太大的面积，并且采用低电压控制,同时满足采用3.3V 或5V供电的微控制器或其他控制器来实现控制。 本文介绍了用于高边驱动IC和传统高边驱动器拓扑的高电压工艺，同时探讨驱动器的相关问题。简要解释了新提出的技术如何来解决传统高边驱动器所遇到的普遍问题，如高压集成电路 (HVIC) 的关键故障。除了解释如何处理这些故障问题外，本文也会探讨设计的稳健性问题，并给出一些实验结果。 一、高压结端接工艺 在设计中，使高边栅驱动器电路中的每一个器件都能耐受高达600V的电压是很困难的，而且也不具备区域效益 (area-effective)。事实上，只需十几伏便可驱动功率MOSFET 和 IGBT。因此，高边驱动器本身并不需要在全高压范围工作。不过，高边驱动器的偏移 (offset) 电压仍须保持于最大的允许电压值。为了满足这个高偏移电压需求，高边电路被集成到高压二极管的阴极区域。 如飞兆半导体HDG4 625V的额定高压处理器件的高压二极管由P基板所包围，该基板具有高电阻系数、N型埋层和低掺杂N型外延层。这种多层设计的目的是要达到625V的击穿电压的要求。为了使该二极管与其他器件