晶体三极管特性课件 精选文档.pptVIP

二极管开关的通断是受两端电压极性控制。 三极管开关的通断是受基极 b 控制。 1 、三极管的三种工作区域 B B C E C E / C I m A 1 2 3 4 5 0 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 饱和区 —— i C 受 v CE 显著控制的区域，该区域内 v CE 的 数值较小，一般 v CE ＜ 0.7 V ( 硅管 ) 。此时 发射结正偏，集电结正偏 或反偏电压很小 。 截止区 —— i C 接近零的区域，相当 i B =0 的曲线的下方。 此时， 发射结反偏，集电结反偏 。 放大区 —— i C 平行于 v CE 轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时， 发射结正偏，集 电结反偏 ， 电压大于 0.7 V 左右 ( 硅管 ) 。 / C I m A 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 / C I m A 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 三极管工作在放大区。 三极管放大条件： E B BE V V V ? ? , 0 发射结正偏： C B BC V V V ? ? , 0 集 电 结 反 偏 ： 放大特点： 基极电流 I B 对集电极电流 I C 有很强的控制作用 ,I C = βI B 。 从特性曲线上可以看出，在相同的 V CE 条件下， I B 有很小的变 化量ΔI B ， I C 就有很大的变化量ΔI C 。 三极管有放大能力， i c ＝β i b 三极管工作在饱和区。 饱和区 V CE 比较小，也就 是 I C 受 V CE 显著控制区。即将 输出曲线直线上升和弯曲部分 划为饱和区。 三极管饱和条件： E B BE V V V ? ? , 0 发射结正偏： C B BC V V V ? ? , 0 偏 ： 集 电 结 正 基极电位高于发射级、集电极电位。 i b ≥ I BS / C I m A 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 三极管饱和特点： 当 V CE 减少到一定程度后， 集电结收集载流子的能力减弱， 造成发射结“ 发射有余，集电 结收集不足 ”，集电极电流 I C 不 再服从 I C = βI B 的规律。 三极管饱和时的等效电路： 硅管 0.7V 锗管 0.3V 硅管 0.3V 锗管 0.1V 不考虑管压降时的等效电路 等效于开关闭合 V CES b c V BES + + - - e e c b / C I m A 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 三极管工作在截止区， I B =0 曲线以下。 发射结、集电结均反偏。 V BE ≤0 V BC 0 CC C C B V V I I ? ? ? 、 、 0 0 三极管相当于开路 三极管截止等效电路： 所以可以利用三极管饱和、截止状态作开关。 三极管截止条件： 等效于开关断开 e c b / C I m A 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / C E V V 0 B I ? 1 4 0 B I u A ? 2 8 0 B I u A ? 饱和区 放大区 截止区 三极管 PN 结四种偏置方式组 合 发射结 (be 结 ) 集电结 (bc 结 ) 工作状态 正偏 反偏 放大状态 正偏 正偏 饱和状态 反偏 反偏 截止状态 反偏 正偏 倒置状态 / c i m A / C E V V 2 0 u A 4 0 u A 60