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全新的硅基集成电路衬底－SOI 河北工业大学材料学院 信息功能材料研究所 徐岳生 刘彩池 王海云 郝秋艳 全新的硅基集成电路衬底－SOI（Silicon on Insulator） 为适应航空、航天及军用微电子需要而发展的新型集成电路衬底材料SOI，在集成电路制造时，具有以下优势： 1）各器件间和器件有源区与衬底之间，有SiO2绝缘层隔离，避免了器件中的寄生电容； 2）结面积和空间电荷体积减少，使得漏电流低三个数量级； 3）在受到辐照后，顶层产生的少数载流子浓度小三个数量级。 对集成电路的影响：电路性能大大提高，功耗低、驱动电压低、速度高、耐高温、抗辐照等，且集成度可进一步提高。 因此，它将是0.1μm以下线宽电路制造的主要衬底片；特别是当集成度达到1Gb，硅片尺寸Φ≥12以后，制造电路几乎是非SOI结构不可了！国外Φ8＂SOI片已商品化，Φ12＂SOI片已有小批量产品。 体硅与SOI器件的结构比较 SOI材料的应用 SOI的制备技术 注氧隔离（SIMOX）技术 智能剥离（Smart-Cut）技术 硅片键合与背面腐蚀（BESOI）技术 外延转移 （ELTRAN）技术 区熔再结晶技术 多孔氧化硅全隔离技术 但目前SIMOX和Smart-Cut是国际主流技术 SIMOX技术 氧离子注入 硅片表面层 以下，产生一个高浓度的注氧层；离子注入能量为180 ～ 350Kev;剂量1.6 ～2.5x1018/cm2；基片注入温度500℃ ～800℃。 高温退火 在1300℃保护气氛下，6 ～10小时退火，使SiO2夹层形成，并减少表面层晶体缺陷，提高电学性能。 SIMOX技术的瓶颈是成本高，大剂量注入硅片位错(EPD)可高达108/cm2。发展方向是低剂量超薄结构，这样不但降低成本，而且抗辐照能力也会提高。 价格：Epi=抛光片×5倍 SOI = Epi ×5～10倍 SIMOX技术原理图 Smart-Cut技术 离子注入：把H+注入硅中形成一气泡层。注入温度T≥300℃；离子注入能量140Kev；注入剂量为6x1018/cm2。 键合：二个硅片键合，其中之一必须有表面氧化SiO2覆盖层，另一片为注氢层。 热处理：注氢片从气泡层完整地裂开，还起增加键合强度作用。有的热处理分两步进行，最后一道过程为1000℃，N2气氛，热处理1小时。 Smart-Cut技术 Smart-Cut技术 Smart-Cut的关键技术 1）键合：原始硅片要求表面不平整度TIR≤2～3μm;粗糙度≤1.5nm；清洁、无玷污。强的吸附羟基团的亲水性（氢键结合）。 2）智能剥离（灵巧分割） T≤390℃,剥离后在1000℃，N2气氛退火1小时，增加键合强度（Si-O－Si键结合） SOI结构的主要问题 穿透位错，冲击位错； HF缺陷，管道缺陷； BOX层中的Si沉淀及杂质污染； 自加热效应。 * * SOI Wafer 图一 航 空、石 油 工 业 导弹上用的抗辐照ASIC电路 SOI材料的应用 手 提计 算 机 人 造 卫 星 汽 车 工 业 便携式通讯系统 图二 SOI材料的应用 图三 图四 Smart-Cut技术原理示意图 *