完整word版四探针法测电阻率.doc

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2020-07-23 发布于天津
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四探针法测电阻率实验实验目的学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻实验内容硅单晶片电阻率的测量选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片改变条件光照对测量结果进行比较与否薄层电阻率的测量对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量改变条件进行测量与相同对结果进行比较实验原理在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量测量电阻率的方法很多有两探针法因为这种方我们这里介绍的是四探针法四探针法单探针扩展电阻法

四探针法测电阻率实验．实验目的：1 学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。．实验内容2 硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照 ① ，对测量结果进行比较。与否）薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测② 量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。实验原理：3．在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，因为这种方我们这里介绍的是四探针法