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- 2020-07-23 发布于四川
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- | 1985-07-22 颁布
- | 1986-07-01 实施
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中华人民共和国国家标准
UDC 668.783
:621.315.592
错单晶位错腐蚀坑密度 ;620■193
GB 5252—85
测量方法
Germanium monocrystal 一 Inspection
o dislocation etch pit density
本标准适用于位错密度0〜lOO.OOOcm-2的N型和P型错单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测
量。观察面为 (111)、(100)和(113)面。
1定义
1.1位错
单晶中,部分原子受应力的作用产生滑移。 已滑移部分与未滑移部分的分界线为位错线,简称位错。
1.2位错密度
单位体积内位错线的总长度称为位错密度(cm/cmj。本标准指单位表面上位错腐蚀坑的数
目(个/cm -)。
1.3位错堆
某区域的位错密度高于该断面其他区域的平均位错密度五倍以上,且其面积大于视场面积五倍以
上,则称此区域为位错堆(图1)。
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1.4平底坑
单晶经化学腐蚀后,除位错腐蚀坑外, 有一些浅坑,这里称平底坑。它可能是由于空位或晶体
的夹杂(如SiOx)等因素所致(图2)o
1.5小角度晶界
单晶中取向差很小的小晶粒的交界面称为小角度晶界。要求1 mm长度内位错腐蚀坑在15个以上,
且长度在1.5mm以上。(111)面上的位错腐蚀坑呈现一系列以角顶着底边的排列形式(图3)。
1.6滑移线(位错排)
由于沿着滑移面滑移,在晶体表面形成的线称滑移线或位错排。要求1 mm长度内位错腐蚀坑在
15个以上,且长度在1.5mm以上。(U1)面的滑
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