《氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量和分布测定二次.docVIP

PAGE PAGE 1 国家标准《氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法》（讨论稿）编制说明 工作简况 立项目的和意义 半导体产业是信息技术革命的基础，在国家科技战略中具有举足轻重的作用。自上世纪50年代半导体技术出现以来，就以突飞猛进的速度不断的前进和发展，经历了以Ge、Si为代表的第1代半导体，到以GaAs、InP为代表的第2代半导体，再到以GaN、SiC和AlN为代表的第3代半导体。自20世纪80年代以来,美、日、欧等发达国家为了保持军事和航天强国地位,将发展宽带隙半导体技术放在极其重要的战略位置。第3代半导体材料已成为半导体设备中使用的主要材料之一，不仅满足下一代军事、航天和其他系统装备的应用要求，同时在太阳能电池、发电传输等民用领域也展现出其巨大的应用潜力。 氮化铝材料由于其独特的物理和化学性能，在固体深紫外照明和探测器件、表面和体声波器件、太阳能电池、场效应晶体管等方面都具有巨大的应用前景，引起了人们开展氮化铝晶体研究的热潮。AlN半导体材料的研制，需要对AlN材料中重要杂质元素进行检测，特别是重要的掺杂元素Mg和Ga，要获得优质的P型AlN，Mg的掺杂量需要控制好；Ga作为AlN制备过程中的非故意掺杂元素，Ga的掺杂量同样需要控制。二次离子质谱法具有较高的检测灵敏度，是检测Mg、Ga掺杂的重要检测手段。为了促进我国相关技术的提升，填补我