光催化材料的基本原理.pdf

二，光催化材料的基本原理 半导体在光激发下，电子从价带跃迁到导带位置，以此， 在导带形成 光生电子，在价带形成光生 空穴 。利用光生电子 -空穴对的还原氧化 性能，可以降解周围环境中的 有机污染物 以及光解 水制备 H2和O2 。 高效光催化剂必须满足如下几个条件：（ 1）半导体适当的导带和价 带位置，在净化污染物应用中价带电位必须有足够的氧化性能， 在光 解水应用中，电位必须满足产 H2和产 O2 的要求。（ 2 ）高效的电子 - 空穴分离能力，降低它们的复合几率。（ 3 ）可见光 响应特性：低于 420nm 左右的紫外光能量大概只占太阳光能的 4% ，如何利用可见光 乃至 红外光 能量，是决定光催化材料能否在得以大规模实际应用的先 决条件。常规 anatase-type TiO2 只能在紫外光响应，虽然通过搀杂 改性，其吸收边得以 红移 ，但效果还不够理想。因此，开发可见光响 应的高效光催化材料是该领域的研究热点。 只是，现在的研究状况还 不尽人意。 三，光催化材料体系的研究概况 从目前的资料来看，光催化材料体系主要可以分为氧化物，硫化物， 氮化物 以及磷化物 氧化物：最典型的主要是 TiO2 及其改性材料。目前，绝大部分氧化 物主要集中在 元素周期表 中的d 区，研究的比较多的是含 Ti ，Nb ，Ta 的氧化物或复合氧化物。其他的含 W ，Cr ，Fe ，Co ，Ni ，Zr 等金属 氧化物也见报道。个人感觉， d 区过渡族金属元素氧化物经过炒菜式 的狂轰乱炸后，开发所谓的新体系光催化已经没有多大潜力。目前， 以日本学者 J. Sato 为代表的研究人员，已经把目光锁定在 p区元素氧 化物上，如含有 Ga ，Ge ，Sb ，In ，Sn ，Bi元素的氧化物。 硫化物： 硫化物虽然有较小的禁带宽度，但容易发生光腐蚀现象，较 氧化物而言，稳定性较差。主要有Ｚ n Ｓ，Ｃd Ｓ等 氮化物：也有较低的带系宽度，研究得不多。有Ｔ a ／Ｎ，Ｎb ／Ｎ等 体系 磷化物：研究很少，如Ｇ a Ｐ 按照晶体 /颗粒形貌分类： （1）层状结构 **半导体微粒柱撑于 石墨 及天然 / 人工合成的层状 硅酸盐 **层状单元 金属氧化物半导体 如：V2O5 ，MoO3 ，WO3 等 **钛酸 ，铌酸，钛铌酸及其合成的碱（土）金属离子可交换层状结构 和半导体微粒柱撑于层间的结构 **含 Bi层状结构材料， (Bi2O2)2+(An-1BnO3n+1)2- (A=Ba ，Bi，Pb ； B=Ti ，Nb ，W) ，钙钛矿 层 (An-1BnO3n+1)2- 夹在 (Bi2O2)2+ 层之间。 典型的有： Bi2WO6 ，Bi2W2O9 ，Bi3TiNbO9 **层状钽酸盐： RbLnTa2O7(Ln=La,Pr,Nd,Sm) （2 ）通道结构 比较典型的为 BaTi4O9 ，A2Ti6O13 （A=K ，Na ，Li ，等）。这类结 构往往比层状结构材料具有更为优异的光催化性能。 研究认为， 其性 能主要归咎于金属 -氧 多面体 中的非对称性，产生了偶极距，从而有 利于电子和空穴分离 （3 ）管状结构：在钛酸盐中研究较多 （4 ）晶须或多晶 一维 材料 经由VLS ，VS ，LS （如水热合成，熔盐法）机制可制备一维材料； 液相合成中的软模化学法制备介孔结构的多晶一维材料 对于该种行貌的材料，