CMOS制造工艺及流程教材 73页.pptVIP

31 五，源漏的制备 通过注入形成硅栅器件的源漏两个端口。源、栅、 漏之间的 对准不受其他的因素影响而自对准形 成。这是硅栅工艺区别于 AL 栅工艺的特点之一。 漏端附近沟道区中的高电场是引起短沟器件热载 流子效应的主要原因，为了减小沟道电场， VLSI 中的 N 沟器件几乎全部采用渐变漏掺杂结构， 一般由两次杂质注入形成，最常用的两种渐变 结构是双扩散漏（ DDD ）和轻扩散漏（ LDD ） 结构。主要为了减小热载流子效应。 32 P- 衬底 N+ N+ POLY 栅 N- N- 图三：轻掺杂漏结构 N+ N+ POLY 栅 P- 衬底 图一：传统的漏结构 N- N+ N+ POLY 栅 N- P- 衬底 图二：双扩散漏结构 源漏的制备 （不同结构的截面图） 33 源漏的制备 DDD 结构是通过向源漏区注磷，砷形成的 ，首先注入磷，形成轻掺杂 N- 区，然后 再注入砷形成重掺杂区，由于 P 比 As 轻， 扩散得较快，所以轻掺杂的 N- 区将 N+ 包 围了起来 。 LDD 结构是通过低能注入 P 或 As 形成轻掺 杂 N- 区，并在多晶硅侧面形成氧化物侧 墙，然后利用侧墙作为掩膜注入 As 形成 N+ 区。 34 源漏的制备 ( 工艺流程） 35 SiO 2 源漏的制备 ( 流程图 CROSS SECTION ） PLDD ? NLDD and PLDD IMPL Poly N-Well Si(P) P-Well NLDD 36 源漏的制备 ( 流程图 CROSS SECTION ） ? LPTEOS Deposition LPTEOS N-Well SiO 2 Si(P) P-Well NLDD PLDD Poly 37 源漏的制备 ( 流程图 CROSS SECTION ） ? Spacer etch Poly Spacer N-Well SiO 2 Si(P) P-Well NLDD PLDD 38 源漏的制备 ( 流程图 CROSS SECTION ） Poly ? NS/D and PS/D Spacer N-Well SiO 2 Si(P) P-Well NS/D PS/D 39 六，孔的形成 ? D1 采用 TEOS+BPTEOS ，其中未掺杂的 TEOS 可以阻挡高温回流过程中 BPTEOS 中的 杂质向 POLY 及衬底中的扩散； BPTEOS 中 B ， P 含量要控制在 3-5% 。掺 B 可以降低回流温 度，掺 P 可以减小膜的应力，具有抗潮，吸 钠等特性。 ? 介质回流：一般温度在 800-900 度，监控回 流角，高温使 BPTEOS 流动，台阶平缓，同 时使 BPTEOS 完全稳定，避免出现起球现象， 便于 AL-1 及后段工艺台阶覆盖。 40 孔的形成 （接触电阻） ? VLSI 中寄生电阻主要包括源漏扩散区的体电 阻，金属和源漏的接触电阻及源漏区的扩展 电阻，孔内两种物质接触的状况直接影响到 接触电阻的大小，在工艺控制中非常重要， 孔的尺寸及源漏区的浓度直接影响接触电阻 的大小，溅 AL 前的清洗也非常重要。 ? 影响 接触电阻大小的因素有：接触材料，杂 质浓度，孔的大小，合金退火等。 41 孔的形成 ( 工艺流程） 42 孔的形成 ( 流程图 CROSS SECTION ） Poly Spacer N-Well SiO 2 Si(P) P-Well NS/D PS/D ? Deposit D1 D1 43 孔的形成 ( 流程图 CROSS SECTION ） 。 W1 Etch Poly Spacer N-Well SiO 2 Si(P) P-Well NS/D PS/D D1 44 七，金属布线 （作用） ? 用作 IC 的互连线 ? 金属层的材料很多种： -- ALSi ； ALSiCu ； Cu -- 当孔尺寸较小时如 0.6um 以下，为 改善台阶 覆盖，热 AL 工艺取代了传统的冷 AL 工艺。 45 金属布线 （结构） ? 金属互连线结构为： Ti/TiN+AlSiCu+TiN 1 ， Ti/TiN Barrier 层 溅射 Ti/TiN 之后，通过 RTA 快速退火形成 TiSi/Ti/TiN 结构，可以和 Si 衬底 形成良好的欧姆接触，同时 TiN 具有稳定的化 学和热力学