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模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知ui 压可忽略不计。 ?10sin?t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电 图P1.2 解图P1.2 解：ui与uo的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知ui 波形图，并标出幅值。 ?5sin?t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT?26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ID=(V-UD)/R=2.6mA 其动态电阻: rD≈UT/ID=10Ω 图P1.4 故动态电流的有效值：Id=Ui/rD≈1mA 1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得2种：0.7V；6V。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流 IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI=35V时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。 ∴UR I=10V时，UO=L R+RUI=3.3V； L UR I=15V时，UL O=R+RUI=5V； L UI=35V时，UO=RL R+RUI≈11.7VUZ，∴UO=UZ=6V。 L (2)当负载开路时，IZ=UI-UZ R=29mAIZmax=25mA，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2)R的取值范围是多少？ 解：(1)S闭合。 (2) R的范围为: Rmin=(V-UD)/IDmax≈233Ω Rmax=(V-UD)/IDmin≈700Ω 图P1.7 1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。 (a) (b) (a) (b) 图Pl.8 解图Pl.8 解：答案如解图Pl.8所示。 放大倍数分别为βa =1mA/10μA=100和βb=5mA/100μA=50 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。 解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE 三种情况下T 的工作状态及输出电压uO的值。 解： (1)当VBB (2)当VBB=0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V=0时，T 截止，uO=12V=1V时，因为 VBB-UBEQ Rb=60μA 。 IBQ= ICQ=βIBQ=3mA uO=VCC-ICQRc=9V 图P1.10 所以T处于放大状态。 (3)当VBB=3V时，因为IBQ= ICS=VBB-UBEQRb=460μA， ICQ=βIBQ=23mAVCC-UCES=11.3mA， 所以T处于饱和状态。 Rc 1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,BE 管的稳定电压UZ=0.2V，饱和管压降CES=0.1V；稳压。试问：当uI=5V, 正向导通电压UD=0.5V=0V时uO=？；当uI=-5V时uO=？ 解：当uI=0V时，晶体管截止，稳压管击穿， uO=-UZ=-5V。 当uI=-5V时，晶体管饱和， 。 uO=-0.1V