ECV测试原理及相关剖析.ppt

阿特斯 The Super Highway to Grid Parity E测试原理及相关分析 工艺部王永伟 内 BCW背景个绍 容日BC测试原理 简口四ECW测试常见门题及分析 介 BCW测试线的理解 s}阿特斯 阿特斯 The Super Highway to Grid Parity 第一部分 BCW背景个绍 BCW背景介绍 对于半导体器件的设计和制造而言,器件中载流子浓度、掺杂厚度 以及杂质分布都是必须严格控制的参数,就要求对载流子的浓度及 分布有更精确可靠的测量。目前,业界已有几种表征杂质浓度分布 的方法,如扩展电阻法、电容电压法CV)、二次离子质谱 (SIMS)、微分霍耳法、电化学电容-电压法CV)等。这些技术各有 其自身的优缺点。传统的CV法尽管实验方法简单,有较好的分辨率 及精确性,但它受限于反偏电压下的击穿,不易表征高掺杂样品和 具有一定深度分布的样品以及pn结;扩展电阻法可以测量p结且不 受深度的限制,但其要求精细的样品准备、探针选择以及数据提取 与校正,杂质浓度分布的表征依赖于校正因子和迁移率的选择,且 由于磨角度数和探针半径的限制,用它表征几十纳米结深的超浅结 非常困难;微分霍耳法通过反复测试剥层前后薄层电阻和面霍耳系 数的变化可以同时测量出载 s}阿特斯 BC景介绍 流子浓度及迁移率的深度分布,也可以测量pn结,但精确控制超 薄层的剥离和精确测量霍耳效应在技术上是巨大的挑战,尤其对 于几十纳米结深的超浅结;SMIS法有较好的分辨率及精确度,也 可以表征pn结,但它需要复杂昂贵的设备,同时所测出的杂质浓 度是原子浓度而不是电激活杂质浓度;ECV方法利用合适的电解液 既可作为肖特基接触的电极测量CV特性,又可进行电化学腐蚀 ,因此可以层层剥离测量电激活杂质的浓度分布,剖面深度不受 反向击穿的限制,并可测量pn结,目前它在ⅢV族化合物半导体 中已有较多的应用,但ECV法对硅尤其是几中纳米结深和 以上掺杂浓度的超浅结的表征研究较少。 s}阿特斯