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精选文档 半导体物理学 基本概念 有效质量 载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影 响。其物理意义： 1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度； 2 ）有效质量反映 了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴 是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于 具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振 半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此 时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率 时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。 施主 在半导体中起施予电子 作用的杂质。 受主 在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能 使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空 穴电离所需要的能量。 n- 型半导体 以电子为主要载流子的半导体。 p- 型半导体 以空穴为 主要载流子的半导体。 浅能级杂质 杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电 离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质 杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶 （受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但 对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的 深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿 在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象， 即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓 度，即两者之差。 可编辑 精选文档 直接带隙 半导体的导带底和价带顶位于 k 空间同一位置时称为直接带 隙。直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。 间接带隙 半导体的导带底和价带顶位于 k 空间不同位置时称为间接带 隙。间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。 平衡状态与非平衡状态 半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分 布，电子和空穴具有统一的费米能级。半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分 布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡 时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。 电中性条 件 半导体在任何情况下都维持体内电中性，即单位体积内正电荷数与负 1 电荷数相等。 非简并半导体 半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布 描述时，称之为非简并半导体。 简并半导体 半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中， 此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。简并半导体有如下性 质： 1）杂质不能充分电离； 2 ）杂质能级扩展为杂质能带。如果杂质能带与导带 或价带相连，则禁带宽度将减小。 本征半导体 本征半导体即纯净半导体，其载流子浓度随温度增加呈指数 规律增加。 杂质半导体 在半导体中人为地，有控制地掺入少量的浅能级杂质的半导 体，可在较大温度范围内保持半导体内载流子浓度不随温度改变。即掺杂的主要作 用是在较大温度范围维持半导体中载流浓度不变。 可编辑 精选文档 多数载流子与少数载流子 多数载流子是在半导体输运过程中起主要作用 的载流子，如 n- 型半导体中的电子。而少数载流子在是在半导体输运过程中起次 要作用的载流子，如 n- 型半导体中的空穴。 费米分布 费米分布是费米子（电子）在平衡态时的分布，其物理意义是 在温度 T 时，