3D封装的发展动态与前.docVIP

PAGE2 / NUMPAGES8 3D封装的发展动态与前景 1 为何要开发3D封装 迄今为止，在IC芯片领域，SoC（系统级芯片）是最高级的芯片；在IC封装领域，SiP（系统级封装）是最高级的封装。 SiP涵盖SoC，SoC简化SiP。SiP有多种定义和解释，其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成（System-in-3D Package），在芯片的正方向上堆叠两片以上互连的裸芯片的封装，SIP是强调封装内包含了某种系统的功能。3D封装仅强调在芯片正方向上的多芯片堆叠，如今3D封装已从芯片堆叠发展占封装堆叠，扩大了3D封装的内涵。（1）手机是加速开发3D封装的主动力，手机已从低端（通话和收发短消息）向高端（可拍照、电视、广播、MP3、彩屏、和弦振声、蓝牙和游戏等）发展，并要求手机体积小，重量轻且功能多。为此，高端手机用芯片必须具有强大的内存容量。2005年要求256Mb代码存储，1Gb数据存储；2006年要求1Gb代码存储，2Gb数据存储，于是诞生了芯片堆叠的封装（SDP），如多芯片封装（MCP）和堆叠芯片尺寸封装（SCSP）等；[1]（2）在2D封装中需要大量长程互连，导致电路RC延迟的增加。为了提高信号传输速度，必须降低RC延迟。可用3D封装的短程垂直互连来替代2D封装的长程互连；（3）铜互连、低k介质层和CMP已成为当今CMOS技术中的一项标准工艺。随着芯片特征尺寸步入纳米尺度，对低k介质层要求越来越高，希望采用纯低k（k＜2.8）介质层。然而事与愿违，ITRS曾三次（三个节点）延期向低k介质层的切换。2003年底在Sematech联盟主办的一次研讨会上，与会者认为，为改良IC互连面进行的低k材料研究有可能接近某种实际极限，未来应更多注重改进设计及制造低k介质层的能力，这表明实施SoC的难度。这就是开发3D封装的三条理由。从此，3D封装如雨后春笋般地蓬勃发展。2 芯片堆叠手机已成为高密度存储器最强、最快的增长动力，它正在取代PC成为高密度存储器的技术驱动，在2008年手机用存储器可能超过PC用存储器。用于高端手机的高密度存储器要求体积小、容量大，势必采取芯片堆叠。芯片堆叠的封装主要两种，一是MCP，二是SCSP。MCP涵盖SCSP，SCSP是MCP的延伸，SCSP的芯片尺寸比MCP有更严格的规定。通常MCP是多个存储器芯片的堆叠，而SCSP是多个存储器和逻辑器件芯片的堆叠。2.1 芯片堆叠的优缺点2004年3月Sematech预言，3D芯片堆叠技术将会填补现行的CMOS技术与新奇技术（如碳纳米管技术）之间的空白。芯片堆叠于1998年开始批量生产，绝大多数为双芯片堆叠，如图1所示。[2]到2004年底ST微电子已推出堆叠9个芯片的MCP，MCP最具经济效益的是4～5个芯片的堆叠。芯片堆叠的优缺点、前景和关系如表1所示，表1给出了芯片堆叠与封装堆叠的比较。[3]由于芯片堆叠在X和Y的2D方向上仍保持其原来的尺寸，并在Z方向上其高度控制在1mm左右，所以很受手机厂商的青睐。芯片堆叠的主要缺点是堆叠中的某个芯片失效，整个芯片堆叠就报废。 3D封装的发展动态与前景 1 为何要开发3D封装 迄今为止，在IC芯片领域，SoC（系统级芯片）是最高级的芯片；在IC封装领域，SiP（系统级封装）是最高级的封装。 SiP涵盖SoC，SoC简化SiP。SiP有多种定义和解释，其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成（System-in-3D Package），在芯片的正方向上堆叠两片以上互连的裸芯片的封装，SIP是强调封装内包含了某种系统的功能。3D封装仅强调在芯片正方向上的多芯片堆叠，如今3D封装已从芯片堆叠发展占封装堆叠，扩大了3D封装的内涵。（1）手机是加速开发3D封装的主动力，手机已从低端（通话和收发短消息）向高端（可拍照、电视、广播、MP3、彩屏、和弦振声、蓝牙和游戏等）发展，并要求手机体积小，重量轻且功能多。为此，高端手机用芯片必须具有强大的内存容量。2005年要求256Mb代码存储，1Gb数据存储；2006年要求1Gb代码存储，2Gb数据存储，于是诞生了芯片堆叠的封装（SDP），如多芯片封装（MCP）和堆叠芯片尺寸封装（SCSP）等；[1]（2）在2D封装中需要大量长程互连，导致电路RC延迟的增加。为了提高信号传输速度，必须降低RC延迟。可用3D封装的短程垂直互连来替代2D封装的长程互连；（3）铜互连、低k介质层和CMP已成为当今CMOS技术中的一项标准工艺。随着芯片特征尺寸步入纳米尺度，对低k介质层要求越来越高，希望采用纯低k（k＜2.8）介质层。然而事与愿违，ITRS曾三次（三个节点）延期向低k介质层的切换。2003年底在Sematech联盟主办的一次研讨会上，与会者认为，为改良IC互连面进行