2019年半导体集成电路部分习题答案朱正涌.doc

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2020-08-06 发布于天津
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2019年半导体集成电路部分习题答案朱正涌.doc

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第章集成电路的基本制造工艺一般集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别为什么答集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般集成电路的外延层电阻率高第章集成电路中的晶体管及其寄生效应题考复习思与非门输出管的利用截锥体电阻公式计算所示提示先求截锥体的高度然后利用公式注意在计算时应考虑横向扩散伴随一个横向器件产生两个寄生的晶体管试问当横向器件在种可能的偏置情况下哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大答当横向管处于饱和状态时会使得寄生晶体管的影响最大试设计一个单基极单发射极和单集电极的输出晶体管

第1章集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应题考复习思r2.2 “与非”门输出管的利用截锥体电阻公式，计算TTL2.2 CS 所示。提示：先求截锥体的高度 T??xT?T?x- upepi?epijcBL?mc?L1Tbln/aCE??R?r???r ，然后利用公式：