5G时代智能手机射频前端芯片发展分析.pptx

5G时代智能手机射频前端芯片发展分析;爱立信数据显示，2018年全球智能手机存量50亿部。参考IDC近几年智能手机出货数据，我 们测算全球智能手机换机周期已经从2016年的2.8年拉长到2018年的3.5年。 展望2020年，50亿部存量中正常换机需求14亿部，在5G新机带动下，其余36亿部存量手机 中，假设分别有3%（悲观）、5%（中性）、10%（乐观）的用户提前换机，出货量将新增 1.08亿（悲观）、1.8亿（中性）、3.6亿（乐观），对应智能手机出货量将整体增长8% （悲观）、13%（中性）、26%（乐观）。 爱立信预计到2024年全球智能手机存量将达到72亿部，预计2023年已经成为5G换机末期， 假设换机周期再次拉长至3.5年，预计2024年智能手机出货量将达到20亿部。;;华为加速5G SA手机进程，中国5G市场将引 领全球;;配合新频段，需要新增射频前端等关 键元器件;;;;手机射频前端市场空间有望达到350亿美元;射频前端器件怎么实现的？;;从目前手机射频前端市场看，美国、日本厂商牢牢把控PA功放、滤波器（SAW、 BAW）市场。 国内卓胜微、信维通信、麦捷科技SAW滤波器产品处于起步阶段，刚刚切入国内 手机客户供应。;SAW、BAW工艺差别带来性能差别;SAW滤波器市场走向成熟，村田一家独大;5G Sub-6GHz BAW滤波器性能优势更大;;BAW滤波器市场空间复合增速超过30%;化合物半导体是指两种或两种以上元素形成的半导体材料,并具有确定的禁带宽度和能带结 构等半导体性质。化合物半导体根据不同的分类方式，可以分成很多不同种类的化合物半 导体，例如按照组成元素在化学元素周期表中的位置,二元化合物半导体有III-V族、IV-IV 族、II-VI族等。第二代、第三代半导体多属于化合物半导体。 相较于硅材料，化合物半导体材料在性能和能带方面具有很大的优势，高电子迁移率、高 频率、高功率、高线性度、宽幅频宽、材料选择多元性、抗辐射使得化合物半导体应用领 域大多集中在射频器件、光电器件和功率器件，且发展潜力巨大。而硅材料则更多应用在 逻辑器件、存储器等，相互之间并不构成竞争关系。;硅仍是目前最为主流的半导体材料， 但随着科技发展，硅在电子传输速 度、发光频率、耐受温度等方面难 以满足越来越高的要求，而化合物 半导体材料通常具有许多硅材料不 具备的优异性能，如高电子迁移率、 直接带隙、宽禁带等，大量应用在 射频、光电等领域，并且有望在越 来越多的领域替代硅材料。 第二代化合物半导体的代表为砷化 镓（GaAs），第三代化合物半导体 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC） 为代表，相比于硅材料，化合物半 导体材料由于其出色的材料特性已 成为发展最快、应用最广、产量最 大的半导体材料。;砷化镓（GaAs）是目前技术最成熟的化合物半导体。GaAs和硅相比有宽禁带、直 接带隙和高电子迁移率的特性，适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器 件。 GaAs的主要应用在通信领域，包括光纤通讯、卫星通讯、微波通讯等领域。GaAs 制成的功率放大器（PA）是手机的重要零件。此外，GaAs制作器件的抗电辐射能 力强，工作温度范围宽，能够适应恶劣的工作条件，提高器件的可靠性。;目前，GaAs晶体管制程技术主要分为三类：异质结双极晶体管(HBT)、赝 调制高电子迁移率效应晶体管(pHEMT)和金属半导体场效应晶体管 (MESFET)。 MESFET制程是最早采用的GaAs制程，结构简单，技术成熟，生产成本低。 目前，功率放大器采用HBT工艺，而射频开关则采用pHEMT制程。HBT制程 工艺线宽较高，具有高线性度、高增益和高效率等优点，并且待机耗电 流小和器件体积小，符合手机等移动终端的发展需求。pHEMT制程的线宽 较低，位于0.15-0.5μm左右，具有超高频和低噪音的特性，工作频率可 以高达100GHz。 随着通信频段往高频迁移，GaAs技术的发展由早期的 MESFET逐渐移转至 pHEMT和HBT。;异质结双极晶体管（HBT）;赝调制高电子迁移率晶体管（pHEMT），在HEMT基础上发展而来，对HEMT中“DX中心”等问题进行了改 善。在GaAs基HEMT中，杂质满足一定条件时会出现DX中心，它可以俘获或放出电子，使2DEG浓度随温度 变化而变化，稳定性较差。为避免DX中心的影响，pHEMT使用非掺杂的InGaAs代替非掺杂GaAs作为2DEG 沟道层。InGaAs禁带更窄，增大了异质结的禁带宽度之差；电子迁移率及饱和速度更高。这些特性使 pHEMT有更高的工作频率和功率转换效率等优良特性。 MESFET又称肖特基势垒场效应晶体管，是一种用肖特基势垒栅代替P-N结栅的场效应晶体管。MESFET主 要选用GaAs和SiC作为材料。肖特基