微电子延期雷管抗冲击性能研究.pdf

数码电子雷管抗冲击性能研究 汇报人：任冬梅 叶迎华 刘大斌 南京理工大学 南京理工科技化工有限责任公司 2019年11月21 日 研究背景 1.研究背景 数码电子雷管在推广过程中存在的问题： ①井下使用拒爆率高 ②操作过程复杂 ③产品质量不稳定 ④生产过程安全性不高 ………… 1.研究背景 国内学者通过大量研究，将井下电子雷管拒爆问题归结于两大原因： ★ 冲 击 过 载 电磁 兼 容 研究内容 2.研究内容 电子雷管抗冲击性能研究主要内容： 01 用霍普金森杆测试电子 实验室测试 雷管各组件抗冲击性能。 02 现场测试小断面爆破环境 现场测试 下电子雷管所受压力。 2.研究内容 1.霍普金森杆试验 测试原理如下： 撞击杆 平行光源 入射杆 试件 透射杆 吸收杆 阻尼器 电阻应变计 压缩气枪 放大器 超动态应变仪 测时仪 波形储存器 数据处理系统 2.研究内容 用霍普金森杆对电子雷管进行抗冲击性能测试。测试不同冲击过载条件下，芯片在工 作状态及非工作状态时，电子雷管各组件失效情况。 雷管 夹具 入射杆 夹具（试样） 接受杆 撞击方向 入射杆 接受杆 侧向撞击 霍普金森杆撞击示意图 霍普金森杆撞击实物图 2.研究内容 试验结果如下： ①芯片在非工作状态下进行撞击，当过载从5万g逐步增加25万g，芯片、焊点、桥丝电 阻均正常；当过载从25万g增至30万g 时，芯片检测正常、桥丝电阻正常、刚性连接处焊 点受损率50%。 焊点失效 2.研究内容 ②芯片在工作状态下进行撞击，当过载从20万g增加至30万g时，起爆后，通过显 微镜观察，桥丝均出现异于正常起爆熔断的一道很小的裂痕。当过载增至30万g时（过 载样本量：5 ），出现1发芯片暂时失效的情况，后检测正常；1发电容受损；3发出现 异于正常起爆的小裂痕。如图所示： 桥丝断裂 撞击后起爆桥丝断裂图 正常起爆时桥丝熔断图 2.研究内容 由霍普金森杆试验结果显示： ①芯片在非工作状态下，整个芯片模组中，若采用刚性连 接，最薄弱的环节应为焊点位置，当过载接近25万g时，应采 取必要防护措施。 ②芯片在工作状态下，当过载≥20万g时，桥丝出现异于正 常起爆的裂痕。当过载达到30万g时，芯片、电容、桥丝均出 现受损情况。 2.研究内容 2.现场测试 2.1试验方案：选用最典型的井下小断面爆破参数作为本次试验的试验条件，孔径：42mm，孔深：2m，装药高度： 1.2m，填塞长度：0.8米。用药卷直径为32mm 的二号岩石乳化炸药用于中心孔装药，测试爆炸后对距其15cm、3