RENA一次清洗作业规程.docVIP

文件编号 版本状态 A/0 文件名称 RENA二次清洗工艺操作规程 页 码 1/6 编制/日期： 审核/日期： 批准/日期： 目 的 去除硅片表面的磷硅玻璃；去掉硅片背面及周边p-n结。 适用范围 适用于125、156多晶硅片二次清洗工位。 责 任 本工艺说明由电池事业部工艺人员制定修改。 本工位员工需严格依工艺文件操作。 质量部负责按文件要求对工艺检查、监督。 设 备 RENA清洗机、冷却系统。 环境要求 温度20±2℃，洁净度一万级。 工具 125×125片盒(PVDF材料)、156×156片盒(PVDF材料)、围裙、长袖防护手套、防护面具、防毒面具、洁净服、PE手套、乳胶手套、汗布手套、一次性口罩。 原 辅 料 16MΩ.cm去离子水（DI water）、硝酸(65.0～68.0%)、氢氟酸(48.0～50.0%)、氢氧化钾溶液(45%)、硫酸(98.0%)、压缩空气、自来水。 工艺参数 槽位 配比 温度 速度 自动补液 循环流量 刻蚀 HF: 16.5 L HNO3: 104 L H2SO4:90L DI Water: 149 L 8±2 1.1±0.2m/min HNO3:0.25L/333片 HF:0.08～0.20L/500片 25～45 L/min 吹干 压缩空气 / 1.1±0.2m/min / 25 Nm3/ h 漂洗 DI Water:80L 常温 1.1±0.2m/min / 58 L 碱洗 KOH:4.75L DI Water:70L 20±5 1.1±0.2m/min KOH:1～1.5L/h DIWater:10～15L/h 3500L/h 漂洗 DI Water:60L 常温 1.1±0.2m / 58 L 酸洗 HF：39 L DI Water：396 L 常温 1.1±0.2m/min HF:1.2L/h DI Water：6L/h 4700L/h 漂洗 DI Water:60L 常温 1.1±0.2m/min / 58 L 吹干 压缩空气 / 1.1±0.2m/min / 25 Nm3/ h 备注 156多晶：制绒槽每150万片换液一次；其它槽位每10万片换一次。 125多晶：制绒槽每150万片换液一次；其它槽位每15万片换一次。 文件编号 版本状态 A/0 文件名称 RENA二次清洗工艺操作规程 页 码 2/6 二次清洗 操作规程 开机准备 机器准备 打开电控柜电源，然后打开主机及PLC电源。 打开灯，开关位于灰色的电气箱“0”—“1” 打开冷却系统，外围冷却水温不能高于18℃,进出水压差不少于3 kg 配液 将各工艺槽内的碎片清理干净，并清洗配液箱和各工艺槽（点击各槽位控制界面的“System Rinsing”按钮）。 进入相应槽位的控制界面，点击相应配液按钮，系统将按照工艺参数自动配液。 配液过程中如发现储液柜中药品用完(此时系统会报警)，应及时换好。 物料准备 戴好手套，手套的戴法为：内层汗布手套 + 中间层乳胶手套 + 外层汗布手套。 从硅片周转车中取出硅片，并整齐地放在上料台。如有跟踪单或流程卡，将其一起取出放在跟踪片处。 在跟踪单或流程卡上记录要求填写的内容（如：时间、碎片、返工片等）。 开机 开始登录程式。点击屏幕右上角的“login”。 填入帐号和密码，按“Login，进入操作界面，并选择手动模式（Manual mode）。 把产量清0，待各工艺槽准备好后（屏幕上显示Ready，为绿色），将滚轮关掉。 将手动模式切换为自动模式，并点击屏幕右下方的“start”，即完成开机。 上料 确保滚轮速度、温度正常后（屏幕上各槽位状态显示Ready，为绿色），按减薄量监控方法测减薄量，如果减薄量未达到要求需要工艺人员调整工艺参数直至达到减薄量要求方可上片。 从片盒中取出原硅片，逐片放在轨道上，每次取片不超过50片。 每道硅片之间距离应保持15mm～20mm， 上片时如发现硅片表面粘有偏磷酸、指纹或其它各种颜色的斑点等污染物，应挑出并送还前道工序。 文件编号 版本状态 A/0 文件名称 RENA二次清洗工艺操作规程 页 码 3/6 每放1500片时需更换手套，出入车间时需换手套。 机器自动生产 清洗流程 刻蚀吹干漂洗 刻蚀 吹干 漂洗 碱洗 漂洗 去PSG 漂洗 吹干 过程中每隔1小时观察刻蚀槽和HF酸液面，刻蚀槽液面不应爬到硅片上表面， HF酸液面必须将硅片完全浸泡，各喷淋槽喷淋口无堵塞。 刻蚀槽和碱洗槽的温度超出工艺规定范围时立即停止生产，待温度恢复正常后再上片。 出现喷淋管口堵塞时，应尽快告知设备人员处理。 工艺槽溢流口有碎片堵塞时，会导致循环泵停转，此时停止放片，清理溢流口附近的碎片。 风刀压力要充足，保