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电子技术基础 ( 模拟篇 )
第一章 半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移
2. 在 PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当 PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂
移电流。
A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于
3. 设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程为( )
U U U U U U U
A. B. T C. (e T -1) T -
I e I e I D. I e 1
S S S S
4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。
A B C D
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足 ( ) 。
A. I D = 0 B. I D I Z 且 I D I ZM C. I Z I D I ZM D. I Z I D I ZM
6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。
A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。
A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。
A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷
9. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。
A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴
10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。
A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V
11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不
同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。
A. 直流,相同,相同 B. 交流,相同,相同
C. 直流,不同,不同 D. 交流,不同,不同
12. 在 25oC 时,某二极管的死区电压 Uth ≈0.5V ,反向饱和电流 I S≈0.1pA ,则在 35oC 时,下列哪组
1 。
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数据可能正确: ( )。
A U th ≈0.525V , I S≈0.05pA B U th ≈0.525V ,I S≈0.2pA
C U th ≈0.475V , I S≈0.05pA D U th ≈
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