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精品文档 《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院 版权所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》 （编号为08001）共有单选题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本 习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。 一、单选题 B E C 1. 测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是 U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在 （ ） 状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2. 二极管的主要特性是（ ）。 A. 放大特性 B. 恒温特性 C. 单向导电特性 D. 恒流特性 3. 在 N 型半导体中（ ）。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C. 有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4. 三极管的两个 PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（ ）。 A. 放大 B. 饱和 C. 截止 D. 倒置 5. 工作在放大状态的某三极管， 当输入电流 I B=10 μA 时，I C=1mA；而 I B=20 μA 时，I C=1.8mA， 则该三极管的交流电流放大系数为（ ）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6. 稳压管的稳压是其工作在（ ）。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿区 D. 正向死区 7. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V、-10V 和 -9.3V ，则该管为 （ ）。 A.NPN 硅管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.PNP 锗管 8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9. 测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为： UB=2.8V ，UE=2.1V ，UC＝3.6V ，则该管处于 （ ）状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 击穿 。 1欢迎下载 精品文档 10. P 型半导体中的自由电子浓度（ ）空穴浓度。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 大于或等于 11. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ ）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 硼元素 D. 磷元素 12. 三极管工作在放大区的条件是（ ）。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结反偏，集电结正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 13. 下列关于半导体的说法正确的是（ ）。 A.P 型半导体带正电， N 型半导体带负电