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第五部分 电子技术基础 第1讲 晶体二极管和二极管整流电路 学习目标及考纲要求 1、了解晶体二极管的结构、符号、分类。 2、 理解晶体二极管的伏安特性、主要参数，掌握硅、锗二极管门坎电压值、正向导通电压值，稳压管的原理、符号及应用。 3、 掌握单相半波整流电路、单相桥式整流电路的组成、工作原理、简单计算；掌握滤波器的概念及电容滤波的原理及特点。 知识梳理 1．半导体基础知识 1）半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。它的导电能力随温度、光照或掺杂不同而发生显著变化。 2）两种载流子： 半导体内部有两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。 3）半导体的分类： 本征半导体即纯净半导体：空穴数量和和自由电子数量相等，导电性能较差； P型半导体即空穴型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素形成P型半导体。其内部空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子； N型半导体即电子型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素形成N型半导体。其内部空穴是少数载流子，自由电子是多数载流子； 2．PN结 1）形成过程 在硅或锗单晶基片上，加工出P型区和N型区，在P型和N型交界面上形成一薄层，即为PN结。 2）PN结的单向导电性 在PN结两端加正向电压时，PN结电阻小，处于导通状态；加反向电压时，PN结电阻大，处于于截止状态。 3．晶体二极管 1）晶体二极管内部是一个PN结，因此晶体二极管也具有单向导电性。即加一定的正偏电压二极管导通，加反偏电压二极管截止。 2）二极管的分类 按材料分：硅二极管和锗二极管； 按PN结面积分：点接触型和面接触型； 按用途分：整流二极管、稳压二极管、开关二极管等； 4）二极管的伏安特性 （1）概念：二极管的伏安特性是指二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系。 （2）伏安特性曲线 晶体二极管常用伏安特性曲线表示其性能， 5-1-1有正向特性和反向特性。如图所示。 说明：（指正向电流开始有①二极管两端加正向电压时，通过正向电流。当正向电压小于起始电压正向电流很小；0.3伏）时，～0.7伏，锗管为0.2～较大增长时对应的正向电压。硅管约为0.6二极管的工作状当正向电压超过起始电压后，正向电压稍增，正向电流则增加很多，这时， 导通”状态。态称为“且反向电压改变时②二极管承受反向电压时，反向电流很小，或者说电流基本上不能通过， ”状态。反向电流几乎不变，这时的工作状态称为“截止此时的电压为击反向电流突然增大，二极管便失去单导电性。③当反向电压增至一定值时， 穿电压。由于击穿会导致二极管损坏，因此，除稳压二极管外，一般不允许将二极管击穿。 3）环境温度对伏安特性的影响（ 正向特性：在同样电流下，当温度升高时，所需施加的正向电压减少， 即反向伏安特性曲反向饱和电流随温度升高增加很快，而反向击穿电压会下降，反向特性： 线右移。 5）晶体二极管的主要系数 ：是二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。）最大整流电流（1IFM 结可能会过分发热而损坏。实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管内的PN ：是二极管允许承受的反向工作电压峰值。（2）最高反向工作电压VRM 。它是确保管子安全工作所允许使用的电压值，约为反向击穿电压的1/2~1/3：是在规定的反向电压和环境温度下，测得的二极管反向电流值，该电I（3）反向漏电流R 流值越小，二极管单向导电性能越好。 VI和是合理选择二极管的主要依据。其中，RMFM 4．二极管的理想状态 正向导通时，正向电阻为零，正向压降为零；反向截止时，反向电阻为无穷大。 5．二极管的整流电路 1）概念利用晶体二极管的单向导电性把单相交流电转换成脉动直流电的电路称为二极管的单相整 流电路。 2）分类 单相半波、单相全波（变压器中心抽头式和桥式）和倍压整流等电路。 5-1-2所示。（1）单相半波整流电路：如图 =I/R=V I =0.45VV IV41.=2V≈1VLLLLL2 V V1 + VR 2 V V1o - 图5-1-2 （2）单相全波整流电路：如图5-1-3所示 =1/2I V=0.9V I=V/R IV41≈1.V=2VLLLLLV2 VV1 + 2 R Vo VVV2 3 4 V1- 5-1-3 图 变压器中心抽头式全波整流电路的V=22V同时要注意，当电路中接有滤波电容后后出电压的计算。 其中，V：表示变压器次级绕组交流电压的有效值。 2V：表示脉动直流电压的平均值。 LI：表示脉动直流电流的平均值。 LI：表示通过二极管电流的平均值。 VV：表示二极管承受的反向电压最大值。 RM（3）