LED灯主要性能参数.pdf

精品文档 1 LED主要参数与特性 LED是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。 它具备 pn 结结型器件的电学特性： I-V 特性、 C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED芯片 pn 结制备性能主要参数。 LED 的 I-V 特性具有非线性、整流 性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区： （图oa 或 oa ′段） a 点对于 V0 为开启电压，当 V＜Va ，外加电场尚克服 不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同， GaAs 为 1V，红色 GaAsP为 1.2V ，GaP为 1.8V ， GaN为 2.5V 。 （2 ）正向工作区：电流 IF 与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT –1) IS 为反向饱和电流 。 V＞0 时， V＞VF 的正向工作区 IF 随 VF 指数上升 IF = IS e qVF/KT （3）反向死区 ：V＜0 时 pn 结加反偏压 V= - VR时，反向漏电流 IR （V= -5V ）时， GaP为 0V，GaN为 10uA。 （4 ）反向击穿区 V＜- VR ，VR称为反向击穿电压； VR 电压对应 IR 为反向漏电流。当反 向偏压一直增加使 V＜ - VR 时，则出现 IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料 种类不同，各种 LED的反向击穿电压 VR也不同。 1.2 C-V 特性 鉴于 LED 的芯片有 9 ×9mil (250 ×250um) ， 10×10mil ， 11×11mil (280 ×280um)， 12 × 12mil (300 ×300um)，故 pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压） C≈n+pf 左右。 C-V 特性呈二次函数关系（如图 2 ）。由 1MHZ交流信号用 C-V 特性测试仪测得。 1.3 最大允许功耗 PF m 当流过 LED的电流为 IF 、管压降为 UF 则功率消耗为 P=UF×IF LED工作时， 外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光， 还有一部分变为热， 使结温升 高。若结温为 Tj 、外部环境温度为 Ta，则当 Tj ＞Ta 时，内部热量借助管座向外传热，散逸 热量（功率） ，可表示为 P = KT （Tj –Ta ）。 1.4 响应时间 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示 LCD （液晶显示）约 10-3~10-5S ，CRT、PDP、LED都达到 10-6~10-7S （us 级）。 ① 响应时间从使用角度来看，就是 LED 点亮与熄灭所延迟的时间，即图中 tr 、tf 。图 中 t0 值很小，可忽略。 ② 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 LED 的点亮时间——上升时间 tr 是指接通电源使发光亮度达到正常的 10%开始，一直到 发光亮度达到正常值的 90%所经历的时间。 LED熄灭时间——下降时间 tf 是指正常发光减弱至原来的 10%所经历的时间。 不同材料制得的 LED响应时间各不相同；如 GaAs、GaAsP、GaAlAs 其响应时间＜ 10-9S ， GaP为 10-7 S。因此它们可用在 10~100MHZ高频系统。 2 LED光学特性 发光二极管有红外（非可见）与可见光两