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宽能隙半导体简介
SiC 二极管
SiC MOSFET
GaN HEMT 组件
结论;Known SiC MOSFET ;Power MOSFET structure;MOSFET IV;Switching charge & power;Comparing with IGBT;Comparing with Si-SJ-MOSFET;;动态切换因素主要影响因子为Vth，由于Vth的变化会影响组件在并联时开关的先后顺序，且Vth为负温度系数，肇因于低Vth的组件由于整体导通时间将比高Vth组件长，成更高的温升以及更低的Vth，在并联上具有困难
解决方法主要有两种：
并联时选择之MOSFET组件其Vth应尽可能接近，避免Vth变化所带来之不良影响
加快MOSFET切换速度参数，更大的Gate Driver电流，更小的Ciss以及RG可以加速开关的turn on及turn off，进而减少Vth之差异所造成之切换时间差，改善并联均流特性;;Gate Driver for SiC MOSFET;Gate Driver for SiC MOSFET – 参考驱动电路 example : UCC2753X Series;Gate Driver for SiC MOSFET – 参考驱动电路;Gate Driver for SiC MOSFET – 参考驱动电路 example : IXDD609;Product List;Package Types;Hybrid Power Module (Hestia);Si, Hybrid SiC, All SiC模块功耗比较;Si CoolMOS + SiC Diode;瀚薪发明的SiC MOSFET 器件;Current and Future Work ;Output Characteristics (1700V, SiC MOSFET);Blocking Characteristics (1700V, SiC MOSFET);3300V SiC MOSFET Product Development;瀚薪的产品已经应用在新能源汽车 (SiC Power Module);Hestia’s 1200V SiC IPM
(P1C120TB020S63); 宽能隙半导体简介
SiC 二极管
SiC MOSFET
GaN HEMT 组件
结论;16-11-22;Key Issue of GaN HEMTs ;;
;GaN/Si Stress Engineering;;;;Component Type;Component Type;38;Hestia Power Incorporated
10F.-2, No.27, Guanxin Rd.,
Hsinchu City 30072, Taiwan R.O.C.
TEL: +886-3-563-5766
FAX: +886-3-563-3066
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