Flyback电源二极管损耗分析（DCM模式）.ppt

* * * * * 提示： 快恢复二极管的VF、VFR、tfr、trr(tb)、IRRM随着不同的工作条件是变化的。计算二极管损耗时要确定正向电流IF、反向恢复电压VRR、二极管电流变化率di/dt，二极管的实际结温TVJ。 1 trr随着IF、VRR、TVJ的增加而增加，随着di /dt的增加而减小 2 IRRM随着IF、TVJ、VRR、di /dt的增加而增加 3 VF随着TVJ的上升而减小 4 VFR随着di /dt的增加而增加 5 tfr随着di /dt的增加而减小。 济南晶恒电子 举例2： A：电源条件同举例1。 B：输出二极管使用晶恒SIC肖特基SC1512。 VF0 =1.2V，IR（@381V）=10uA； tfr=150ns，VFR=6.0V，IRRM=2A，tb=25ns tfr/Ts=0.0075，tb/Ts=0.00125 rD=50mΩ C：损耗计算 通态损耗Pc=VF0×IO+rD×IF2(RMS)=1.2×5+0.05×5.52≈7.5W 截止损耗参考举例1，忽略 开关损耗Ps=Pon+Poffb Pon=1/2×IF×（VFR-VF）×tfr/Ts=1/2×5×6.5×0.0075≈0.09W Poffb=1/4×Vo×IRRM×tb/Ts=1/4×381×2×0.00125≈0.24W Ps=Pon+Poffb=0.33W。 总损耗PD=Pc+Pb=7.83W 结论： 1. SIC肖特基的损耗小于快恢复二极管的损耗。 2. 对于SIC肖特基二极管，损耗只计算Pc。 济南晶恒电子 高压BOOST电路二极管损耗分析总结 SIC肖特基二极管的损耗主要来自Pc。 01 快恢复二极管的损耗主要来自Pc和Ps里面的Poffb。 02 满足设计条件下，尽量选用SIC肖特基二极管。 03 尽量选用VF低的二极管。 04 对快恢复二极管，要减小Ps，可选择trr短，IRRM小的软恢复产品。 05 济南晶恒电子 BOOST二极管损耗计算公式 A： 快恢复二极管 Pc=VF×Io+rD×IF2(RMS) Ps=1/4×VRR×IRRM×tb/Ts PD=Pc+Ps B：SIC肖特基二极管 Pc=VF0×Io+rD×IF2(RMS) PD=Pc 济南晶恒电子 二极管的选用原则 二极管的总损耗主要来自通态损耗和开关损耗。 01 肖特基二极管的通态损耗和开关损耗都优于快恢复二极管，优先选择。 02 当温度高时（100℃），肖特基二极管的截止损耗的影响必须考虑。 03 对于快恢复二极管，要降低开关损耗，应选择trr小的，但trr小，VF就增加，所以，对损耗的影响，要折中考虑。一般对于几十KHZ的电源，HER（75ns）的产品就可以了。 04 济南晶恒电子 Item Type VF@1.5A(V) trr(ns) Pin(W) Pout(W) Efficiency(%) SR5200 SKY 0.70 / 35.7 30 84.00% SR5250 SKY 0.742 / 35.9 83.60% HER504G FRD 0.748 75 36 83.30% SF56G UFRD 0.89 35 36.3 82.60% 一单端反激开关电源20V，1.5A。输出整流二极管分别使用SKY SR5200和SR5250，快恢复二极管HER504G和SF56G，考察转换效率。 测试结果符合前面的计算结论。 举例： 晶恒是国内最早研制和批量生产肖特基芯片和成品的公司之一，早在上世纪70年代，就研制出了国内第一支肖特基二极管，90年代初，开始批量生产民用肖特基芯片和成品。是军用肖特基产品定点单位。 05 晶恒二极管在电源效率提升中的应用 济南晶恒电子 普通肖特基二极管 SIC肖特基 二极管 肖特基二极管系列 济南晶恒电子 芯片特点： 1 半导体-金属势垒EPI结构，低压采用Mo势垒，高压采用Pt-