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1、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 第 1 章 检测题 A 、三价； B 、四价； C、五价； D 、六价。 一、填空题： 2 、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。 这种半导体内的多数载流 A 、导通状态； B 、截止状态； C、反向击穿状态； D 、任意状态。 子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。 3 、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1K Ω，说明该二极管（ C ）。 2、P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流 A 、已经击穿； B 、完好状态； C、内部老化不通； D 、无法判断。 子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 4、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 3、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。 A 、多子扩散； B 、少子扩散； C 、少子漂移； D 、多子漂移。 4、三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 5、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE ＝2.1V ，VB ＝2.8V ，V C ＝4.4V ，说明此三 *5 、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 极管处在（ A ）。 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向 一 A 、放大区； B 、饱和区； C、截止区； D 、反向击穿区。 致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱 6 、正弦电流经过二极管整