半导体制程及原理.pdf

精品文档 制程及原理概述 半导体工业的制造方法是在硅半导体上制造电子元件 ( 产品包括 : 动态存储器、静态记亿体、微虚理器…等 ) ，而电子元件之完成则由精 密复杂的集成电路 (Integrated Circuit ，简称 IC) 所组成； IC 之制作 过程是应用芯片氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子 植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。随着电子信 息产品朝轻薄短小化的方向发展 ，半导体制造方法亦朝着高密度及自动 化生产的方向前进 ; 而 IC 制造技术的发展趋势 ，大致仍朝向克服晶圆直 径变大，元件线幅缩小，制造步骤增加，制程步骤特殊化以提供更好的 产品特性等课题下所造成的良率控制因难方向上前进。 半导体业主要区分为材料 ( 硅品棒 ) 制造、集成电路晶圆制造及集成 电路构装等三大类，范围甚广。目前国内半导体业则包括了后二项，至 于硅晶棒材料仍仰赖外国进口。国内集成电路晶圆制造业共有 11 家， 其中联华、台积及华邦各有 2 个工厂，总共 14 个工厂，目前仍有业者 继纸扩厂中，主要分布在新竹科学园区，年产量逾 400 万片。而集成电 路构装业共有 20 家工厂，遍布于台北县、新竹县、台中县及高雄市， 尤以加工出口区为早期半导体于台湾设厂开发时之主要据点 。年产量逾 20 亿个。 原理简介 一般固体材料依导电情形可分为导体、半导体及绝缘体。材料元件 内自由电子浓度 (n 值 ) 与其传导率成正比。良好导体之自由电子浓度相 28 - 3 7 - 3 当大( 约 10 个 e /m ) ，绝缘体 n 值则非常小 (10 个 e /m 左右 ) ，至于半 导体 n 值则介乎此二值之间。 半导体通常采用硅当导体，乃因硅晶体内每个原子贡献四个价电 子，而硅原子内部原子核带有四个正电荷。相邻原子间的电子对，构成 了原子间的束缚力，因此电子被紧紧地束缚在原子核附近，而传导率相 对降低。当温度升高时，晶体的热能使某些共价键斯键，而造成传导。 这种不完全的共价键称为电洞 ，它亦成为电荷的载子 。如图 1.l(a),(b) 于纯半导体中，电洞数目等于自由电子数，当将少量的三价或五价 原子加入纯硅中 ，乃形成有外质的 (extrinsic) 或掺有杂质的 (doped) 半 导体。并可分为施体与受体，分述如下： 1. 施体 (N 型) 。 1 欢迎下载 精品文档 当掺入的杂质为五价电子原子 ( 如砷 ) ，所添入原子取代硅原子，且 第五个价电子成为不受束缚电子，即成为电流载子。因贡献一个额 外的电子载子，称为施体 (donor) ，如图 1.l(C) 。 2. 受体 (P 型 ) 当将三价的杂质 ( 如硼 ) 加入纯硅中，仅可填满三个共价键，第四个空缺 形成一个电洞。因而称这类杂质为受体 (acceptor) ，如图 1.l(d) 。 半导体各种产品即依上述基本原理，就不同工业需求使用硅晶圆、 光阻剂、显影液、酸蚀刻液及多种特殊气体为制程申的原料或添加物 等，以完