输运理论的和溶质分凝.ppt

第四章输运理论与溶质分凝 主要知识点 各种输运势的基本概念及物理意义 温度场、速度场对晶体生长的影响 热量输运与直径控制 质量输运与分凝效应 几个与晶体质量有关的控制参数  晶体生长理论研究的目的: 通过对晶体生长过程的深入理解,实 现对晶体制备技术研究的指导和预言。研究 对象是晶体生长这一复杂的客观过程,研究 内容相当庞杂。某些理论在生长实践中得到 了应用,起了一定的指导作用。人们对晶体 生长过程的理解有待进一步深化  @ 生长热力学理论一经典成核理论 1878.JW.吉布斯 界面生长理论→界面微观结构与生长速率 1920.W.科塞耳 生输运理论。。溶质分凝效应 1891.J.斯忒藩 论「平衡形态理论“今理论形态学 1866.A.布拉维 形态稳定性理论一组分过冷与枝晶 1950.B.查尔默斯 最体生长理论体系  @@ 前言: 当某一物理量(如热量、质量或动量等) 在空间分布不均匀时,就会有该物理量流的流 动,这就是输运现象,而各种不同形式的输运 效应是相互联系的。输运现象与物理量空间分 布的梯度有关,即梯度是造成输运的驱动力 输运过程是晶体生长的重要阶段。当晶体 从浓厚环境相生长时,结晶潜热必须从生长界 面传输出去,这是热量输运;当晶体从稀薄环 境相生长时,生长基元需要首先输运到生长界 面,然后才进行界面过程,这是质量输运 输运效应限制晶体的生长速率、支配生长 界面的稳定性  §1自由生长机制与强制生长机制 i)稀薄环境相的自由生长机制 当晶体生长的母相介质是气相或溶液相时, 境相和晶相的质点密度有很大差别,称之为稀薄环 境相。生长过程遵苁自由生长机 特点: 驱动力场为近似均匀; 易雳摯牵仅取决于该晶面的生长机制和生长 驱动力为过饱和度,质量输运为主要的输运过程 晶体的自范性得以完美体现