TSMC.25um工艺库的使用.docVIP

“TSMC .25um CMOS 工艺库”的使用 此工艺库是从TSMC提供的商用0.25um CMOS工艺库改写而成的（删掉了一些器件的模型）。共提供了PMOS、NMOS、PNP、RES三种类型的元器件模型。针对最主要的元器件MOS，还提供了存在工艺偏差情况下（Vt取不同值）的三种不同模型（TT、SS、FF），TT代表典型情况下的MOS管模型，SS和FF代表了最坏情况下的MOS管模型（晶体管速度最快和晶体管速度最慢两种极端情况），可以用来仿真存在工艺偏差时对电路性能的影响。 调用库格式：为了调用工艺库，请在网表文件中包含以下语句： .lib 'mix025_1.l' TT （仿真工艺最坏情况，“TT”应改为“SS”和“FF”） .lib 'mix025_1.l' RES .lib 'mix025_1.l' TT_BIP PMOS管：模型名为“pch”，L的取值范围为0.24u~21u，W的取值范围为0.30u~101u。 MP D G S B pch W=5u L=1u M=1 NMOS管：模型名为“nch”，L的取值范围为0.24u~21u，W的取值范围为0.30u~101u；注意NMOS管的衬底只能接gnd： MN D G S 0 nch W=5u L=1u M=1 pnp管：其集电极为p型衬底，只能接gnd，共提供三种模型，以表示发射－基极结面积不同时PNP管的差别：10umX10um、5umX5um、2X2um： QP 0 B E pnp10 （pnp10可换为pnp5、pnp2） 电阻：共提供五种不同的电阻类型的子电路模型：p注入多晶电阻（子电路模型名：rppo1rpo，方块电阻值：160，温度系数：7.64e-4）；p注入Silicide多晶电阻（子电路模型名：rppo1w，方块电阻值：5.0，温度系数：3.04E-03）；n注入多晶电阻（子电路模型名：rnpo1rpo，方块电阻值：180，温度系数：-6.2e-4）；n注入Silicide多晶电阻（子电路模型名：rnpo1w，方块电阻值：5.0，温度系数：3.15E-03）；n阱电阻（子电路模型名：rnwsti，方块电阻值：1100，温度系数：3.60E-03）： XRES node1 node2 子电路模型名 l=10u w=2u (为了保证电阻精度，L、W的最小取值为2u) 6．电容：没有提供电容模型，请使用MOS管作电容： MCAPN C- C+ C- 0 nch W=10u L=10u M=2 MCAPP C+ C- C+ C+ pch W=10u L=10u M=2