三极管基本分析方法讲义.pptVIP

2020年08月13日 三极管基本分析方法 * 2. “Q” 过高引起饱和失真 ICS 集电极临界 饱和电流 NPN 管： 底部失真为饱和失真。 PNP 管： 顶部失真为饱和失真。 IBS — 基极临界饱和电流。 不接负载时，交、直流负载线重合，V ?CC= VCC 不发生饱和失真的条件： IBQ + I bm ? IBS uCE iC t O O iC O t uCE Q V ?CC 第2章 半导体三极管 2020年08月13日 三极管基本分析方法 * * 当输入电压为正弦波时，如果NPN管共发射极电路发生饱和失真，则集电极电流iC将发生（ ）失真，输出电压uo将发生（ ）失真。 A 正半波削波，正半波削波 B 负半波削波，负半波削波 C 负半波削波，正半波削波 D 正半波削波，负半波削波 * 放大电路中，为了使晶体管不工作在饱和区，其静态管压降UCE应选择为（ ）。 A UCE = VCC B UCE = 0 C UCE = UCE（sat）+ Uom D UCE = UCE（sat） 第2章 半导体三极管 2020年08月13日 三极管基本分析方法 *