硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法-编制说明.pdfVIP

国家标准《硅外延层载流子浓度的测试 电容- 电压法》 编制说明 ( 征求意见稿 ) 一、 工作简况 1、 立项目的和意义 硅外延片是半导体功率器件和部分 IC 集成电路的基础材料，硅外延层的片内、片间 及批间的载流子浓度，都是硅外延片品质的重要衡量指标，直接影响供需双方的产品质 量。随着硅外延片直径的不断增大，硅外延片的应用领域不断向高端半导体产品延伸， 硅外延片的品质要求越来越高，外延层载流子浓度做为硅外延片的关键技术指标，其准 确性和一致性的规格要求更是不断被提升。在此基础上，近年来国内所有企业的硅外延 层载流子浓度的汞探针测试技术方法和水平，都较 GB/T 14146-2009 颁布时有了很大的 提升，亟待更新原标准，以提高测试的精确性与测试效率，提高标准的实用性、可操作 性及先进性。 本次修订中增加了空气电容法无接触 C-V 测试方法，该项技术的应用可以有效规避 传统汞探针与硅片接触导致的金属沾污，同时避免蒸气对超净间的环境污染和现场人员 的健康影响，从环境友好的角度，还是从人员健康、测试成本、外延片的有效利用上均 具有无可替代的优势。 2、 任务来源 根据《国家标准化管理委员会关于下达 2018 年第三批国家标准制修订计划的通知》 （国标委发[2018]60 号）的要求，由南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司 等单位负责修订 《硅外延层载流子浓度的测试 电容- 电压法》，计划编号 T-469 ， 要求完成时间 2020 年 9 月。 3、 标准修订主编单位概况 南京国盛电子有限公司， 是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司 , 专业 从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近 30 年。公司拥有世界 一流的半导体外延工艺平台，其中硅外延、碳化硅外延、氮化镓外延材料的销售与产能 能力，连续多年国内第一。公司技术力量雄厚，测试分析手段丰富，拥有多台套、国际 先进、全系列的半导体外延材料测试设备， 其中包括， 2 台手动动换汞的 SSM-495汞探针 CV测试仪、 1 台自动换汞的 MCV530L汞探针 CV测试仪、 1 台空气电容法 ACV2200CV测试 仪等硅外延层载流子浓度测试设备。 公司于 2012 年成立了江苏省半导体硅外延材料工程 技术研究中心，致力于半导体外延材料的测试分析与工艺技术创新研发。 1 4 、 主要工作过程 标准立项之后，成立了标准编制组，落实标准涉及范围、检测和参与单位沟通等工 作，并于 2018 年 9 月完成了标准讨论稿。 2018 年 9 月， 由全国半导体设备和材料标准化 技术委员会材料分技术委员会组织，在新疆乌鲁木齐召开《硅外延层载流子浓度的测试 电容- 电压法》第一次标准工作会议（讨论），共有浙江金瑞泓科技股份有限公司、中国 计量科学研究院、浙江省硅材料检验质量中心等 13 家单位的 21 名专家参加了会议，与 会专家对标准的讨论稿认真地进行了逐字逐句的讨论，对该标准的技术要点内容和文本 质量进行了充分的讨论， 会议对本标准的范围、 规范性引用文件、 引用术语、干扰因素、 试剂材料、测试步骤等提出了相应修改意见。根据标准工作会议的要求，编制组对讨论 稿进行了修改及相关内容的补充和完善，于 2019 年 6 月完成了征求意见稿（预审稿）， 征求意见。 二、 标准编制原则及确定标准主要内容的依据 1、 编制原则 标准的编写格式按国家标准 GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第 1 部分：标准的结 构和编写》的统一规定和要求进行编写。查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求， 按当前生产发展需求修订试剂、材料及仪器设备等的要求。细化制样与测试要求，保证 测量精确度。