2011年下期电子技术基础与技能其中考试试题.docVIP

PAGE 3 2011年下期2011级电子26、27班电子技术基础与技能期中考试试卷（专业二） 制卷人刘湘 一、填空题（13分） 1、PN结正偏时 ，反偏时 ，所以PN结具有 导电性。 2、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结 ，集电结 。 3、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic= ，发射结压降 。 4、三极管放大电路共有三种组态分别是 、 、 放大电路。 5、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是 。 6、晶体三极管的集电极电流Ic= 所以它是 控制元件。 二、选择题（20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在 状态，但其两端电压必须 ，它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于 状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是 ，该管是 型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在 。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 4、稳压二极管的正常工作状态是 。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo= Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 6、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 A、放大状态；B、 截止状态； C、饱和状态； D、不能确定。 7、三极管超过 所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 三、判断题（12分） 1、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。 （ ） 2、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （ ） 3、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ ） 4、交流放大电路只能发大交流信号，直流发达电路只能放大直流信号。 （ ） 5、对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。 （ ） 6、三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （ ） 四、分析计算题（55分） 1、已知电路如下图示：为理想二极管，试分析： （1）二极管导通还是截止？（2）UA0=？（7分） 解： 2、图所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（10分） （1）指出A、B、C分别为什么区？ （2）UCE=3V，IB=60μA，IC=？ （3）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （4）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？ I IC (mA) UCE (V) 5 4 3 2 1 100μA 80μA 60μA 40μA 20μA IB＝0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 A B C 3、已知电路如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ， Rs=500Ω， UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10 mV 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au（取小数点后2位） ④ Ri ⑤ R0（10分） 解： 4、已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β=100，CE=10uf 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au ④ Ri ⑤ R0（取小数点后1位）（10分） 5、如图所示