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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 105993582 A
(43)申请公布日
2016.10.12
(21)申请号 201610655534.7
(22)申请日 2016.08.11
(71)申请人 邱文娟
地址 246000 安徽省安庆市皖江大道中央
新城11栋2404室
(72)发明人 邱文娟
(51)Int.Cl.
A01G 1/00(2006.01)
权利要求书1页 说明书2页
(54)发明名称
一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法
(57)摘要
本发明涉及一种大蒜地膜覆盖高产栽培方
法,包括如下步骤:整地及施肥;盖膜;播种;田间
管理;中后期管理。本发明的有益效果是:操作方
便,高产高效,经济效益明显。
A
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9
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N
C
CN 105993582 A 权 利 要 求 书 1/1页
1.一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,包括如下步骤:整地及施肥;盖膜;播种;田间管
理;中后期管理。
2.如权利要求1所述的一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,所述的整地及施肥的技术特
征是:精细整地,用小高畦,增施有机肥。
3.如权利要求1所述的一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,所述的盖膜的技术特征是:膜
要盖严、压紧,做到膜紧贴地、无空隙,膜无皱纹。
4.如权利要求1所述的一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,所述的播种的技术特征是:大
蒜晚播5~7天,每亩密度35000~38000株。
5.如权利要求1所述的一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,所述的苗期管理的技术特征
是:播种覆膜后,立即浇水,近出苗时,再浇1次水,有顶不出膜来的幼芽,人工破膜,在幼苗
生长阶段灌1次促苗水,入冬时,浇1次越冬水。
6.如权利要求1所述的一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,所述的中后期管理的技术特
征是是:在花芽、鳞芽分化期,保护好地膜,发挥其保温作用,直至抽薹前期方可去掉地膜。
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CN 105993582 A 说 明 书 1/2页
一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法
技术领域
[0001] 本发明一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,属于作物种植领域,专用大蒜地膜覆盖
高产栽培。
背景技术
[0002] 大蒜利用地膜覆盖栽培技术有显著的增产作用。地膜覆盖的效应。大蒜利用地膜
覆盖后,有如下明显的效应:①改善了环境条件。地膜覆盖后,在冬前可提高5厘米处的地温
2~3℃。因此,加速了大蒜冬前幼苗的生长,秧苗健壮,抗寒力强。加上冬季地温较高,故越
冬因低温冻死率大大减少,约少5倍左右。翌春,由于地温高2.6~3.7℃,大蒜幼苗返青早,
生长快,植株生长量大,叶面积大,为丰产奠定了基础。②促进了大蒜的生长发育。由于环境
条件的改善,大蒜地膜覆盖条件下,植株生长健壮,根系发达,叶面积大。叶面积指数可提高
0.025。③早熟和高产。由于地膜覆盖的温度效应,所以大蒜地膜覆盖栽培后,抽薹期可提前
6~10天,成熟期提前5~8天。早熟为早腾地创造了条件,可有效地调节下茬作物的栽培期。
利用地膜覆盖,大蒜可增产蒜薹55.35%,增产蒜头44.8%。
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题在于提供一种大蒜地膜覆盖高产栽培方法,解决大蒜
地膜覆盖栽培问题并且高产高效。
[0004] 本发明采用的栽培方法,包括如下步骤:整地及施肥;盖
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