太阳电池培训讲义黎剑骑[精品].pptxVIP

;;RothRau PECVD;RothRau 镀膜设备;PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (等离子增强化学气相沉积) 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子 脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态， 这种形态就称为等离子态即第四态。等离子体从宏观来说也是电中性， 但是在局部可以为非电中性。; --- 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。 所用的活性气体为SiH4和NH3。这些气体经解离后反应，在硅片上长出氮化硅膜。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性 十分良好。;SiNx:H介绍: 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H.;Si3N4膜的认识;