Crystal 回路调查流程方式.doc

Crystal迴路調查流程規範 相關測試儀器: Agilent Oscilloscope 54610B 500MHz x1 set HP Counter 53131A 225MHz x1 set Tektronix 1103 Tekprobe Power Supply x1 set Tektronix P6243 電壓探棒 x1 set Lecroy PP006A 電壓探棒 x1 set Tektronix AC Current Probe P6022 x1 set 250B網路分析儀 x1 set 振盪迴路: Rf : 迴授電阻 Rd : 限流電阻 Cg . Cd : 旁路電容 迴路調查流程步驟如下: 確認所量測之基板週邊設備是否齊全(ex: POWER,開關器,記憶體,硬碟…..) 初測基板Crystal是否正常起振 Crystal 本體測試(使用SA 250B設備) 依迴路圖確認基板之旁路電容和電阻數值. IC輸出/入端確認, 以IC輸出端做為量測點 輸出端的辨識方式: IC本身的Output Rd端 計頻器量測頻率大為Output,頻率小為Input,但須在Cd與Cg容值相同時. 測量Fs(機板實際頻率偏移量) 量測點 量測點 主動式探棒量測點 主動式探棒量測點 Fs(ppm)＝ FLL(機板實測Freq.) – Fo(中心Freq) － FL(250B量測之頻率變化率FL/ ppm ) Fo(中心Freq) 測量-R(負性阻抗) BA B A -R=RS+RR RR: 量測晶體之實測ESR值 在圖中的Rs連上純電阻,使與晶體串聯,一步步的增加電阻值,直到良好的震盪波形停止. 良好的震盪波形停止前的電阻值即為此線路的負性阻抗.藉由示波器確認Buffer Output(晶體兩端)震動.可藉由溫度變化及供應電壓改變負性阻抗,故我們必須用冷卻噴劑及熱槍來改變溫度,同時必須一再的確認供應電壓是ON或OFF. 註1: 建議 |-R| 5*CI ( 車載品建議 |-R| 10*CI ) 註2: 不使用可變電阻控制, 因其包含雜散. 測量DL 使用電流探棒量測Output 使用電流探棒量測 Output 使用電流探棒,測試晶體的電流值,可以獲得以下的值; DL=(I/2√2)^2*RR I : 流經晶體的電流 RR: 量測晶體之實測ESR值 BA B A * 音叉晶體之DL測量方式 在Rs位置接上2.2K的電阻,量測A.B兩點間的電位差 可由下式獲得其值. DL=(V/(2200*2√2))^2*RR V: A.B兩點間的電位差 RR: 量測晶體之實測ESR值 9. CL計算方法如下: CL = C1 * Fr －C0 Fr: 量測晶體之實測FR值 FLL: 機板迴路之實測頻率值 C0: 量測晶體之實測C0值 C1: 量測晶體之實測C1值 Cs: 機板迴路之雜散電容 CL: 機板迴路之實際負載 2(FLL-Fr)*1000 Cs = CL－ Cd * Cg Cd + Cg 10. 調整迴路匹配方法: 變大時 變小時 Rf 負性阻抗依IC內部設計而改變 Rd 頻率變高 頻率變低 負性阻抗變小 負性阻抗變大 DL變小 DL變大 Cd,Cg 頻率變低 頻率變高 負性阻抗變小 負性阻抗變大 DL變大 DL變小 回路調查時之注意事項 1. 振盪頻率: (1).確認IC輸出有無分頻或倍頻. (2).若有分頻或倍頻時則從此輸出點測量,無時則由IC之 X’tal Out處連接一電容(3pF以下)測量.(使用之Probe需以低容量為佳) 2. 負性抵抗: (1).與上述之測量點相同. 但需使用示波器確認有無振盪波形. (2).使用電壓之最小值亦能確保(即確認時需切換電源on-off). (3).需確認常溫.低溫及高溫. (4).需確保其值為CI之5倍以上. 3. Drive Level: (1).此值因振盪子之形狀, 發振Mode不同而各異, 為避免因過大值造成水晶異常振盪或破壞水晶的發生, 應調整回路定數以符合規格要求. (2).對一般振盪子建議DL以 ( 300uW Max. )為宜?. 4. 異常振盪: 回路調查時需確認有無異常振盪發生 (1).Fund →3rd,3rd→5th 確認方法: (a).以手指短路振盪子之兩接腳. (b).使用比規格值低20%的製品確認. (2).3rd→Fund 確認方法:使用比