电子技术基础l练习习题答案(1).pdfVIP

第 1 章 检测题 （共100 分， 120 分钟） 一、填空题： （每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。 这种半导体内的 多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。 P 型 半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子 为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2 、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结 组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3 、PN 结正向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电 场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况 下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中， P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散， N 型 半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。 扩散的结果使它们的交界处建立起 一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R ×1K 档位，当检测时表针偏转度较 大时， 与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已 经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时， 说明该二极管已经 绝缘老 化 。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲 线的 反向击穿 区。 二、判断正误： （每小题 1 分，共 10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体呈负电性。 （错 ） 2 、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对 ） 3 、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R×10K 档位。 （错 ） 4 、 PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN 结反向偏置时，其内外电场方向一致 ） （错 ） 5 、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错 ） 6 、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对 ） 7 、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错 ） 1 8 、当