实验十 太阳电池伏安特性测量.ppt

实验十太阳电池伏安特性测量  、简介太阳能电池的结构 以晶体硅太阳电池为例,其结构示意图如图7-1所示 晶体硅太阳电池以硅半导体材料制成大面积pn结进 行工作。一般采用n+/p同质结的结构,即在约 10cm×10cm面积的p型硅片(厚度—0.3m)的经 过重参杂的n型层。然后在n型层上面制作金属栅线 作为正面接触电极。在整个背面也制作金属膜,作 为背面欧姆接触电极。这样就形成了晶体硅太阳电 池。为了减少光的反射损失,一般在整个表面上再 覆盖一层减反射膜。  太阳光 表面电极 减反射膜 背电极 pn结 图10-1品体建太阳电池的结构示意图  、简介光伏效应 冷当光照射在距太阳电池表面很近的pn结时, 只要入射光子的能量大于半导体材料的禁带 宽Eg,则在p区、n区和结区光子被吸收会产 生电子-空穴对。如果外电场处于开路状态 那么这些光生电子和空穴积累在pn结附近 使p区获得附加正电荷,n区获得附加负电荷, 这样在pn结上产生一个光生电动势。这一现 象称为光伏效应  、太阳电池的表征参数 冷1、短路电流:lsc= Iph Iph为与入射光的强度成正 比的光生电流 akT(I 2、开路电压 +1 3、最大功率PmPm=mVm式中m和m分别为 最佳工作电压 4、填充因子FF最大功率Pm与sc与Voc乘积之比 FF= Pv. FF为太阳电池的重要表征参数,FF愈大则输出的功率 愈高。FF取决于入射光强、材料的禁带宽度、理想 系数、串联电阻和并联电阻等