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学 海 无 涯
4.1.1 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为 VA =-9 V,
VB =-6 V,Vc =6.2 V ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e、集电极c,
并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
解:由于锗BJT 的|VBE |≈0.2V,硅BJT 的|VBE |≈0.7V,已知用BJT 的电极B
的VB =-6 V,电极C 的Vc =-6.2 V ,电极A 的VA =-9 V,故电极A 是集电极。
又根据BJT 工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电
极B 是发射极,电极C 是基极,且此BJT 为PNP 管。
4.2.1 试分析图题4.2.1 所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由(设
各电容的容抗可忽略)。
解:图题4.2.la 无放大作用。因R =0 ,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏
b
管子;另一方面使输人信号v 被短路。
i
图题4.2.1b 有交流放大作用,电路偏置正常,且交流信号能够传输。
图题4.2.lc 无交流放大作用,因电容Cbl 隔断了基极的直流通路。
图题4.2.id 无交流放大作用,因电源 Vcc 的极性接反。
图题4.2.1
4.2.3 测量某硅BJT 各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。
(a )VC =6 V VB =0.7 V VE =0 V
(b )VC =6 V VB =2 V VE =1.3 V
(c )VC =6V VB =6V VE =5.4 V
(d )VC =6V VB =4V VE =3.6 V
1
学 海 无 涯
(e )VC =3.6 V VB =4 V VE =3.4 V
解:(a )放大区,因发射结正偏,集电结反偏。
(b )放大区,VBE =(2-l.3 )V =0.7 V,VCB =(6-2 )V =4 V ,发射结
正偏,集电结反偏。
(c )饱和区。
(d )截止区。
(e )饱和区。
4.3.4 设输出特性如图题 4.3.1 所示的 BJT 接成图题 4.3.2 所示的电路,具基极
端上接V =3.2 V 与电阻R =20 k Ω相串联,而 Vcc =6 V,R =200 Ω,求电
BB b C
路中的 IBQ 、ICQ 和 VCEQ 的值,设 VBEQ =0 .7 V 。
图题4.3.1 图题4.3.2
V − V
解: I BB BEQ 0.0125 mA
BQ R
b
由题4.3. 1 已求得β=200 ,故
I CQ I BQ 200 0.125 25mA
V V −I R 1V
CEQ CC CQ c
4.3.5 电路如图题4.3.5a 所示,该电路的交、直流负载线绘于图题5.3.5b 中,试
求:(1)电源电压VCC ,静态电流IBQ 、ICQ 和管压降VC
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