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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-3 理想pn结直流伏安特性
eV eD p eDn
四、pn结单向导电性分析 a p n0 n p0
= [exp( )-1]
I IS I =A( + )
kT S L L
1. pn结的单向导电性 p n
正偏情况:室温下,kT/e=26mV 。
a
若外加电压V 大于0.1V, eV /kT4, exp(eV /kT) 1
a a
eV
得 I I exp( a )
S
kT
结论:正偏情况(V 0.1V),流过pn结的电流随V 的增加而指数增加。
a a
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-3 理想pn结直流伏安特性
eV eD p eDn
四、pn结单向导电性分析 a p n0 n p0
= [exp( )-1]
I IS I =A( + )
kT S L L
1. pn结的单向导电性 p n
反偏情况:V 0
a
若外加电压V 绝对值大于0.1V,
a exp(eV /kT) 1
a
得: I -IS
a a
结论:反偏情况( │V │0.1V
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