71第6章5_集成电路中BJT版图.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 三、典型npn双极晶体管版图 1. 最小尺寸晶体管 结构：所有尺寸均采用设计规则中规定的最小 尺寸。 作用：占用芯片面积最小； 结电容最小，因此特征频率fT特性好。 缺点：输出电流小、基区串联电阻较大。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 三、典型npn双极晶体管版图 2. 双基极条晶体管 结构：在发射极条的两侧均有一根基极条。 作用：减小基区串联电阻 可以提高最高振荡频率fm f = fT m 8RC B jC 缺点：BC结面积大于最小尺寸晶体管 特征频率低于最小尺寸晶体管 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 三、典型npn双极晶体管版图 3.交叉梳状结构晶体管 结构：多发射极条。 作用：提高较大的输出电流； 保证输出较大功率。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 三、典型npn双极晶体管版图 4. 肖特基晶体管 结构：在一般BJT的基极和集电极之间并 联一个肖特基二极管。 作用：大幅度减少基区存储的过饱和电荷 QBX ； 明显提高开关速度。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 四、集成电路中的pnp晶体管版图 由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此双极集成电路中npn器件特性优于 pnp器件。 双极集成电路中尽量采用npn型晶体管。 双极集成电路的工艺流程是按照如何保证npn晶体管特性而设计的。 双极集成电路中如果需要pnp型晶体管，则是在制作npn晶体管的工艺过 程中利用不同区域的掺杂形成pnp晶体管。 常见的有横向pnp晶体管和纵向pnp晶体管两类。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-2 BJT版图 四、集成电路中的pnp晶体管版图 1. 横向pnp晶体管 (1) 剖面结 利用制作流程中形成npn基区的p型掺杂 npn晶体管 同时制作pnp的p型发射区和集电区； n型外延层作为pnp的基区。