03第1章03_103平衡pn结特点.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-1 平衡pn结定性分析 三. 平衡PN结的特点 1. 耗尽层 (1) 耗尽层的含义： 冶金结附近局部区域，载流子浓度远 小于离化杂质浓度，就对空间电荷贡献而 言，可以忽略载流子的作用，称为载流子 “耗尽”。 载流子“耗尽”的区域称为耗尽层 （Depletion layer） 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-1 平衡pn结定性分析 三. 平衡PN结的特点 1. 耗尽层 (2) 耗尽层近似 (a) 耗尽层有确定的边界，分别记 为-x 和x （取冶金结处为坐标原点x=0 ） p n 则耗尽层宽度W =(x + x ) 0 n p (b) 耗尽层范围内，n=p=0，耗尽 层范围外，载流子维持原来浓度不变。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-1 平衡pn结定性分析 三. 平衡PN结的特点 2. 空间电荷区 （Space charge region ） (1) 对突变结： 空间电荷密度分布为 +eN (0  x x )  d n (x)=  - (-   0) eN x x  a p 电中性条件：eN x =eN x a p d n 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-1 平衡pn结定性分析 三. 平衡PN结的特点 2. 空间电荷区 （Space charge region ） 电中性条件：eN x =eN x a p d n (2) 单边突变结 若N N , 则x x d a n p 若突变结一侧掺杂浓度远大于 另一侧，称为单边突变结 （one-sided step junction ） W =(x + x ) ≈ x 耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧。 0 n p p， 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-1 平衡pn结定性分析 三. 平衡PN结的特点 3. 内建电势 与势垒区 bi (1) 自建电场：空间电荷区离化杂质 电荷形成从n区指向p区的电场，称为自建 电场。