69第6章3_半导体器件物理EM3模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 在E-M2模型基础上进一步考虑晶体管的二阶效应，包括基区宽度调制、 小电流下复合电流的影响、大注入效应等，就成为E-M3模型. 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 1. 基区宽度调制效应 (Early效应) 按照器件物理描述的方法，正向放大应用情况下，采用正向Early电压VA （记为VA ）描述c’-b’势垒区两端电压 Vc’b’对有效基区宽度X 的影响，进而 b 导致IS F 、β 等器件特性参数的变化。 同样引入反向Early电压（记为VB ）描述反向放大状态 Ve’b’ 的作用。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 1. 基区宽度调制效应 (Early效应) 考虑基区宽变效应引入两个模型参数： 正向Early电压VA 反向Early电压VB 这两个模型参数的默认值均为无穷大。 若采用其内定值，实际上就是不考虑基区宽度调制效应。 考虑基区宽变效应等效电路并不发生变化。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 2. 小电流下势垒复合效应的表征 小电流下正偏势垒区存在的复合和基区表面复合效应使基极电流增大。 引入下述基区复合电流项描述正向放大情况 be结势垒区的影响： I2 ＝ISE[exp(qVb’e’ NekT)-1] 反向放大情况下引入下述基区复合电流描述bc结势垒区的影响： I4 ＝ISC[exp(qVb’c’ NckT)-1] 相当于等效电路中IB增加两个电流分量。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 2. 小电流下势垒复合效应的表征 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 四、E-M3模型 2. 小电流下势垒复合效应的表征 I ＝I [exp(qV NekT)-1] 2 SE b’e’ I4 ＝ISC[exp(qVb’c’ NckT)-1] 新增4个模型参数： ISE (发射结漏饱和电流) ISC (集电结漏饱和电流)